一种基于双光子吸收的硅纳米线光电探测器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510548075.8

申请日：

2015-08-31

公开(公告)号：

CN106486564A

公开(公告)日：

2017-03-08

发明(设计)人：

但亚平哈米德雷扎·新安坡尔

申请人：

申请人地址：

200030 上海市徐汇区华山路1954号

IPC主分类号：

H01L3109

IPC分类号：

H01L310352 B82Y3000

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

樊英如;李献忠

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-08	公开	公开
2018-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/09 申请日:20150831
2020-03-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种长波长吸收的硅基硅稀光电探测器 [P].

崔积适 .

中国专利 :CN110311001A ,2019-10-08

[2]

一种光电探测器吸收层的制备方法及光电探测器 [P].

王素元 ;

罗曦 .

中国专利 :CN120051036A ,2025-05-27

[3]

近红外波段全硅基纳米光电探测器 [P].

杨柳 ;

何赛灵 .

中国专利 :CN102569485B ,2012-07-11

[4]

一种近红外波段全硅基纳米光电探测器 [P].

杨柳 ;

何赛灵 .

中国专利 :CN202405298U ,2012-08-29

[5]

硅纳米线阵列的双异质结自驱动光电探测器及制备方法 [P].

杨盛谊 ;

吴颖 .

中国专利 :CN116113246B ,2025-09-26

[6]

一种工作在双波段的超导纳米线单光子探测器 [P].

胡小龙 ;

胡南 ;

许亮 ;

孟赟 ;

邹锴 ;

王昭 ;

兰潇健 .

中国专利 :CN110931628A ,2020-03-27

[7]

硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 [P].

韩伟华 ;

陈燕坤 ;

李小明 ;

张严波 ;

杜彦东 ;

杨富华 .

中国专利 :CN102201483A ,2011-09-28

[8]

硅纳米线／硫化铅／石墨烯复合结构光电探测器及其制备方法 [P].

杨婵 ;

向阳 ;

李沛 ;

柳生祯 ;

缪思丹 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN120882107A ,2025-10-31

[9]

一种光电探测器、光电探测器芯片以及硅基光子芯片 [P].

宋泽国 ;

郝沁汾 .

中国专利 :CN116759471B ,2024-05-24

[10]

窄带吸收超导纳米线单光子探测器 [P].

李浩 ;

尤立星 ;

王镇 .

中国专利 :CN106549098B ,2017-03-29

← 1 2 3 4 5 →