半导体发光装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200910146565.X
申请日
2009-06-08
公开(公告)号
CN101604722A
公开(公告)日
2009-12-16
发明(设计)人
近藤亮介 望月美香
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司
代理人
党晓林;李艳艳
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体发光装置 [P]. 
千野根康仁 ;
梶田正喜 ;
日比谷一亲 .
中国专利 :CN101800281B ,2010-08-11
[2]
半导体发光装置 [P]. 
盛本真代 .
中国专利 :CN103545420A ,2014-01-29
[3]
半导体发光装置 [P]. 
姥原伸公 ;
出口宏一郎 ;
山田孝夫 .
中国专利 :CN103354955A ,2013-10-16
[4]
半导体发光装置及半导体发光模块 [P]. 
小田原正树 ;
池田贤司 ;
锦昌太郎 ;
东山鼓 ;
新野和久 .
中国专利 :CN113544235A ,2021-10-22
[5]
半导体发光装置 [P]. 
幡俊雄 ;
筱原久幸 .
中国专利 :CN101515627A ,2009-08-26
[6]
半导体发光装置 [P]. 
吉田真治 ;
山中一彦 .
中国专利 :CN103403892A ,2013-11-20
[7]
半导体发光装置 [P]. 
辻正孝 ;
滨田直仁 .
中国专利 :CN101562178B ,2012-11-07
[8]
半导体发光装置 [P]. 
星野匡纪 ;
佐野武志 ;
山下丰美 ;
铃木伸幸 .
中国专利 :CN101604687B ,2009-12-16
[9]
半导体发光装置 [P]. 
神川刚 .
中国专利 :CN103918093A ,2014-07-09
[10]
半导体发光装置 [P]. 
大塚一昭 ;
下村健二 ;
武泽初男 .
中国专利 :CN1905228A ,2007-01-31