具有金属栅极的半导体元件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410454861.7

申请日：

2014-09-09

公开(公告)号：

CN105470200A

公开(公告)日：

2016-04-06

发明(设计)人：

吕佳霖陈俊隆廖琨垣张峰溢

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101745244937 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:2014104548617 申请日:20140909
2020-04-21	授权	授权
2016-04-06	公开	公开

共 50 条

[1]

具有金属栅极的半导体元件及其制作方法 [P].

林昭宏 ;

许智凯 ;

冯立伟 ;

蔡世鸿 ;

林建廷 ;

郑志祥 ;

洪庆文 ;

吴家荣 ;

李怡慧 ;

刘盈成 ;

吴奕宽 ;

黄志森 ;

陈意维 .

中国专利 :CN106409830A ,2017-02-15

[2]

具有金属栅极的半导体元件及其制作方法 [P].

廖柏瑞 ;

蔡宗龙 ;

林建廷 ;

徐韶华 ;

王彦鹏 ;

林俊贤 ;

杨建伦 ;

黄光耀 ;

陈信琦 ;

施宏霖 ;

廖俊雄 ;

梁佳文 .

中国专利 :CN102856255B ,2013-01-02

[3]

具有金属栅极的半导体元件的制作方法 [P].

王俞仁 ;

孙德霖 ;

赖思豪 ;

陈柏均 ;

林志勋 ;

蔡哲男 ;

林君玲 ;

叶秋显 .

中国专利 :CN102956460B ,2013-03-06

[4]

具有金属栅极的半导体元件的制作方法 [P].

傅思逸 ;

江文泰 ;

陈映璁 ;

蔡世鸿 ;

林建廷 ;

许启茂 ;

林进富 .

中国专利 :CN103187367A ,2013-07-03

[5]

具有金属栅极的半导体元件及其制作方法 [P].

谢雅雪 ;

蔡腾群 ;

陈佳禧 ;

张振辉 ;

黄柏诚 ;

许信国 .

中国专利 :CN102468238A ,2012-05-23

[6]

具有金属栅极的半导体元件及其制作方法 [P].

黄光耀 ;

杨玉如 ;

廖俊雄 ;

周珮玉 .

中国专利 :CN102237399B ,2011-11-09

[7]

具有金属栅极的半导体元件及其制作方法 [P].

徐俊伟 ;

黄柏诚 ;

蔡腾群 ;

许嘉麟 ;

林志勋 ;

陈彦铭 ;

陈佳禧 ;

龚昌鸿 .

中国专利 :CN102891085A ,2013-01-23

[8]

具有金属栅极的半导体元件的制作方法 [P].

廖柏瑞 ;

蔡宗龙 ;

林建廷 ;

徐韶华 ;

吕水烟 ;

周珮玉 ;

陈信琦 ;

廖俊雄 ;

蔡尚元 ;

杨建伦 ;

蔡腾群 ;

林俊贤 .

中国专利 :CN102683282A ,2012-09-19

[9]

具有金属栅极的半导体元件的制作方法 [P].

廖柏瑞 ;

蔡宗龙 ;

林建廷 ;

徐韶华 ;

陈意维 ;

黄信富 ;

李宗颖 ;

蔡旻錞 ;

杨建伦 ;

吴俊元 ;

蔡腾群 ;

黄光耀 ;

许嘉麟 ;

杨杰甯 ;

陈正国 ;

曾荣宗 ;

李志成 ;

施宏霖 ;

黄柏诚 ;

陈奕文 ;

许哲华 .

中国专利 :CN102738083A ,2012-10-17

[10]

半导体元件及其制作方法 [P].

陈长义 ;

李国兴 ;

林俊贤 ;

王智亿 .

中国专利 :CN120614867A ,2025-09-09

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