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半导体存储器件及其操作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201610178673.5
申请日
:
2016-03-25
公开(公告)号
:
CN106571158A
公开(公告)日
:
2017-04-19
发明(设计)人
:
李熙烈
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
G11C808
IPC分类号
:
G11C806
G11C810
代理机构
:
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363
代理人
:
李少丹;许伟群
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-01-26
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 8/08 申请日:20160325
2017-04-19
公开
公开
2020-09-22
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
朴钟庆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朴钟庆
;
徐智贤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐智贤
.
中国专利
:CN107240412A
,2017-10-10
[2]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
李熙烈
论文数:
0
引用数:
0
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0
李熙烈
.
中国专利
:CN106373610A
,2017-02-01
[3]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
李熙烈
论文数:
0
引用数:
0
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0
李熙烈
;
刘泫昇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘泫昇
.
中国专利
:CN106205700B
,2016-12-07
[4]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
李映勋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李映勋
.
中国专利
:CN106531215B
,2017-03-22
[5]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
林圣龙
论文数:
0
引用数:
0
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0
林圣龙
;
白承焕
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
白承焕
.
中国专利
:CN106340321A
,2017-01-18
[6]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
李映勋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李映勋
.
韩国专利
:CN111899778B
,2024-06-11
[7]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
安正烈
论文数:
0
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0
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0
安正烈
;
吴尚炫
论文数:
0
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0
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0
吴尚炫
;
金占寿
论文数:
0
引用数:
0
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0
金占寿
.
中国专利
:CN102467966B
,2012-05-23
[8]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
李钟妴
论文数:
0
引用数:
0
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李钟妴
;
朴鎭寿
论文数:
0
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0
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0
朴鎭寿
;
禹贤守
论文数:
0
引用数:
0
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0
禹贤守
.
中国专利
:CN107393592B
,2017-11-24
[9]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
郭鲁侠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郭鲁侠
.
中国专利
:CN114496016A
,2022-05-13
[10]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
李映勋
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李映勋
.
韩国专利
:CN111899780B
,2024-06-11
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