用于EEPROM存储器的擦除和写入电路及其方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610501884.8

申请日：

2016-06-30

公开(公告)号：

CN106158032A

公开(公告)日：

2016-11-23

发明(设计)人：

刘吉平唐伟张怀东

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市福田区华强北路华强广场2栋A-15G

IPC主分类号：

G11C1610

IPC分类号：

G11C1614

代理机构：

广东深宏盾律师事务所 44364

代理人：

赵琼花

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-23	公开	公开
2016-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101692514453 IPC(主分类):G11C 16/10 专利申请号:2016105018848 申请日:20160630
2020-09-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11C 16/10 申请公布日:20161123

共 50 条

[1]

用于在EEPROM存储器中进行写入的方法和相应的存储器 [P].

F·塔耶 ;

M·巴蒂斯塔 .

中国专利 :CN106448730A ,2017-02-22

[2]

用于写入和擦除非易失性存储器的方法 [P].

J·鲁德利克 .

中国专利 :CN101866692A ,2010-10-20

[3]

存储器、电路、系统、设备及写入方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN113539336A ,2021-10-22

[4]

存储器装置以及其写入/擦除方法 [P].

叶润林 .

中国专利 :CN110232945A ,2019-09-13

[5]

存储器写入方法和电路 [P].

陈潇 ;

陈薄弘 ;

C-J·谢 ;

D·李 ;

郑春明 ;

A·保罗 .

美国专利 :CN117461083A ,2024-01-26

[6]

存储器电路及其写入方法 [P].

西冈直俊 .

中国专利 :CN1542841B ,2004-11-03

[7]

存储器电路和写入存储器单元的方法 [P].

魏焕昇 ;

沈泽民 ;

吴志强 .

中国专利 :CN113380289A ,2021-09-10

[8]

存储器电路和写入存储器单元的方法 [P].

魏焕昇 ;

沈泽民 ;

吴志强 .

中国专利 :CN113380289B ,2024-04-05

[9]

用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路 [P].

F·塔耶 ;

M·巴蒂斯塔 .

法国专利 :CN111863078B ,2025-04-04

[10]

用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路 [P].

F·塔耶 ;

M·巴蒂斯塔 .

中国专利 :CN111863078A ,2020-10-30

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