用于高效清洁/抛光半导体晶片的组合物和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480017729.4

申请日：

2004-06-15

公开(公告)号：

CN1871333A

公开(公告)日：

2006-11-29

发明(设计)人：

迈克尔·B·科岑斯基许从应托马斯·H·鲍姆大卫·明塞克埃利奥多·G·根丘

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

C11D100

IPC分类号：

B08B308 C11D330 B08B304

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

樊卫民;杨青

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-29	公开	公开
2007-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

用于半导体晶片的抛光组合物 [P].

卞锦儒 ;

J·匡西 ;

M·R·万哈尼赫姆 .

中国专利 :CN100341966C ,2005-04-27

[2]

未抛光半导体晶片和用于制造未抛光半导体晶片的方法 [P].

W·亨泽尔 ;

R·莱纳 ;

H·施文克 .

中国专利 :CN1941290A ,2007-04-04

[3]

用于在化学机械抛光后清洁半导体晶片的清洁组合物及方法 [P].

R·伊万诺夫 ;

F·洪 ;

柯政远 ;

F·孙 .

美国专利 :CN117625325A ,2024-03-01

[4]

用于在化学机械抛光后清洁半导体晶片的清洁组合物及方法 [P].

R.伊万诺夫 ;

F.洪 ;

柯政远 ;

F.孙 .

中国专利 :CN107208005A ,2017-09-26

[5]

用于半导体晶片抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102034697A ,2011-04-27

[6]

用于抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102059640B ,2011-05-18

[7]

用于抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102205521A ,2011-10-05

[8]

用于抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

M·克斯坦 .

中国专利 :CN102189471A ,2011-09-21

[9]

清洁半导体晶片的方法 [P].

榛原照男 .

中国专利 :CN104550100A ,2015-04-29

[10]

用于半导体晶片的抛光药液组合物、抛光药液及制备方法 [P].

刘建志 ;

吴怀东 ;

刘文森 ;

赵波 ;

刘征 .

中国专利 :CN102898951A ,2013-01-30

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