用于半导体晶片的抛光组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410079743.9

申请日：

2004-09-16

公开(公告)号：

CN100341966C

公开(公告)日：

2005-04-27

发明(设计)人：

卞锦儒 J·匡西 M·R·万哈尼赫姆

申请人：

申请人地址：

美国特拉华

IPC主分类号：

C09G100

IPC分类号：

C09G102 H01L21304

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

范征

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-10	授权	授权
2011-01-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101032114498 IPC(主分类):C09G 1/00 专利号:ZL2004100797439 申请日:20040916 授权公告日:20071010 终止日期:20091016
2005-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-04-27	公开	公开

共 50 条

[1]

用于高效清洁/抛光半导体晶片的组合物和方法 [P].

迈克尔·B·科岑斯基 ;

许从应 ;

托马斯·H·鲍姆 ;

大卫·明塞克 ;

埃利奥多·G·根丘 .

中国专利 :CN1871333A ,2006-11-29

[2]

用于半导体晶片抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102034697A ,2011-04-27

[3]

用于抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102059640B ,2011-05-18

[4]

用于抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102205521A ,2011-10-05

[5]

用于抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

M·克斯坦 .

中国专利 :CN102189471A ,2011-09-21

[6]

用来减少对半导体晶片侵蚀的抛光组合物 [P].

卞锦儒 ;

R·L·小拉瓦 ;

J·匡奇 ;

叶倩萩 .

中国专利 :CN1800284A ,2006-07-12

[7]

抛光垫及抛光半导体晶片的方法 [P].

青井裕美 ;

志保浩司 ;

长谷川亨 ;

川桥信夫 .

中国专利 :CN1569398A ,2005-01-26

[8]

抛光半导体晶片的方法 [P].

A·海尔迈尔 ;

V·杜奇克 ;

L·米斯图尔 ;

T·奥尔布里希 ;

D·迈尔 ;

V·吴 .

中国专利 :CN111683792B ,2020-09-18

[9]

抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102049723A ,2011-05-11

[10]

抛光半导体晶片的方法 [P].

K·勒特格 ;

A·海尔迈尔 ;

L·米斯图尔 ;

田畑诚 ;

V·杜奇克 ;

T·奥尔布里希 .

中国专利 :CN103846780A ,2014-06-11

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