半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210107541.5

申请日：

2012-04-13

公开(公告)号：

CN103378102B

公开(公告)日：

2013-10-30

发明(设计)人：

陈逸男徐文吉叶绍文刘献文

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园县

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

深圳新创友知识产权代理有限公司 44223

代理人：

江耀纯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-03	授权	授权
2013-10-30	公开	公开
2013-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101545323107 IPC(主分类):H01L 27/108 专利申请号:2012101075415 申请日:20120413

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

詹益旺 ;

林刚毅 ;

刘安淇 ;

颜逸飞 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN118019331A ,2024-05-10

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

詹益旺 ;

林刚毅 ;

刘安淇 ;

颜逸飞 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN113437067A ,2021-09-24

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

詹益旺 ;

林刚毅 ;

刘安淇 ;

颜逸飞 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN118119181A ,2024-05-31

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

黄吉河 .

中国专利 :CN117690862A ,2024-03-12

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

詹益旺 ;

林刚毅 ;

刘安淇 ;

颜逸飞 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN113437067B ,2024-01-23

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

程慷果 ;

R·迪瓦卡鲁尼 ;

C·J·拉登斯 .

中国专利 :CN101086993A ,2007-12-12

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

丁瑞 .

中国专利 :CN118574405A ,2024-08-30

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

白王敏 .

中国专利 :CN117500270B ,2024-04-19

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

高远皓 ;

李宗翰 ;

刘志拯 ;

吴双双 .

中国专利 :CN117673050A ,2024-03-08

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

杨蒙蒙 .

中国专利 :CN118354589A ,2024-07-16

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