用于分解二氧化硅层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480017598.3

申请日：

2014-03-03

公开(公告)号：

CN105051881B

公开(公告)日：

2015-11-11

发明(设计)人：

D·朗德吕 O·科农丘克

申请人：

申请人地址：

法国贝尔尼

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01L21673 H01L21762

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101650711332 IPC(主分类):H01L 21/67 专利申请号:2014800175983 申请日:20140303
2017-10-17	授权	授权
2015-11-11	公开	公开

共 50 条

[1]

用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 [P].

李殷善 ;

金佑翰 ;

尹熙灿 ;

裴鎭希 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN106147604A ,2016-11-23

[2]

制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 [P].

李知虎 ;

卢健培 ;

尹熙灿 ;

裵镇希 ;

任浣熙 .

中国专利 :CN106558483B ,2017-04-05

[3]

用于施加二氧化硅层的方法 [P].

J.布格拉夫 .

中国专利 :CN106459663B ,2017-02-22

[4]

用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置 [P].

韩权愚 ;

郭泽秀 ;

卢健培 ;

徐珍雨 ;

沈秀姸 ;

尹熙灿 ;

李知虎 ;

张俊英 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN107129757B ,2017-09-05

[5]

制造二氧化硅层的方法 [P].

K·布德尔 ;

N·达瓦尔 ;

I·凯尔富尔克 ;

S·R·A·范阿尔德 ;

M·J·德布兰克 ;

C·A·范德尤德 .

中国专利 :CN100474529C ,2007-08-22

[6]

用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置 [P].

李知虎 ;

沈秀姸 ;

金眞敎 ;

朱英在 .

中国专利 :CN107778876B ,2018-03-09

[7]

用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置 [P].

李汉松 ;

郭泽秀 ;

金义贤 ;

裵鎭希 ;

司空峻 ;

李忠宪 ;

任浣熙 ;

张胜宇 ;

赵炫洙 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN115703943A ,2023-02-17

[8]

用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置 [P].

张胜宇 ;

郭泽秀 ;

裵鎭希 ;

赵炫洙 ;

金义贤 ;

卢健培 ;

司空峻 ;

李忠宪 ;

任浣熙 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN111944320B ,2020-11-17

[9]

用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层以及电子装置 [P].

任浣熙 ;

赵炫洙 ;

黄丙奎 ;

郭泽秀 ;

裵鎭希 ;

张胜宇 .

中国专利 :CN113528014A ,2021-10-22

[10]

用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置 [P].

尹熙灿 ;

金佑翰 ;

高尚兰 ;

郭泽秀 ;

金补宣 ;

金真敎 ;

罗隆熙 ;

卢健培 ;

朴玺美 ;

裵镇希 ;

司空峻 ;

李殷善 ;

任浣熙 ;

张俊英 ;

郑日 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN106189267A ,2016-12-07

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