多模块集成内插器和由此形成的半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910403773.7
申请日
2019-05-15
公开(公告)号
CN111952268A
公开(公告)日
2020-11-17
发明(设计)人
张聪 邱进添 杨旭一 张亚舟
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
H01L23485
IPC分类号
H01L2160
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
邱军
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
多模块集成内插器和由此形成的半导体器件 [P]. 
张聪 ;
邱进添 ;
杨旭一 ;
张亚舟 .
美国专利 :CN111952268B ,2025-03-04
[2]
内插器、半导体封装和制造内插器的方法 [P]. 
姜芸炳 ;
赵泰济 ;
李赫宰 ;
赵汊济 .
中国专利 :CN107393834A ,2017-11-24
[3]
半导体器件和形成半导体器件的方法 [P]. 
朱峯庆 ;
李威养 ;
杨丰诚 ;
陈燕铭 .
中国专利 :CN113284850A ,2021-08-20
[4]
半导体器件和形成半导体器件的方法 [P]. 
杨智铨 ;
徐国修 ;
张峰铭 ;
林建隆 ;
洪连嵘 .
中国专利 :CN113257816B ,2025-01-14
[5]
半导体器件和形成半导体器件的方法 [P]. 
杨挺立 ;
蔡柏豪 ;
郑明达 ;
庄咏涵 ;
王学圣 .
中国专利 :CN114464545A ,2022-05-10
[6]
半导体器件和形成半导体器件的方法 [P]. 
柳依秀 ;
杨丰诚 ;
李宗霖 ;
李威养 ;
陈燕铭 ;
陈彦廷 .
中国专利 :CN110957367A ,2020-04-03
[7]
半导体器件和形成半导体器件的方法 [P]. 
朱峯庆 ;
李威养 ;
杨丰诚 ;
陈燕铭 .
中国专利 :CN113284850B ,2025-08-22
[8]
半导体器件和形成半导体器件的方法 [P]. 
苏圣凯 ;
蔡劲 .
中国专利 :CN112992787B ,2025-09-23
[9]
半导体器件和形成半导体器件的方法 [P]. 
苏圣凯 ;
蔡劲 .
中国专利 :CN112992787A ,2021-06-18
[10]
半导体器件和形成半导体器件的方法 [P]. 
朱龙琨 ;
黄懋霖 ;
徐崇威 ;
余佳霓 ;
江国诚 ;
程冠伦 ;
王志豪 .
中国专利 :CN113380886A ,2021-09-10