制造硅外延晶片的方法和硅外延晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480016820.4

申请日：

2004-06-10

公开(公告)号：

CN100428411C

公开(公告)日：

2006-07-19

发明(设计)人：

吉田知佐岛崎雅广

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L2904

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101730539590 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL2004800168204 登记生效日:20160317 变更事项:专利权人变更前权利人:信越半导体株式会社变更后权利人:富士电机株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县
2006-07-19	公开	公开
2006-09-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片 [P].

石桥昌幸 ;

M·吉田 ;

丸冈大介 .

日本专利 :CN113544817B ,2024-07-09

[2]

硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片 [P].

石桥昌幸 ;

M·吉田 ;

丸冈大介 .

中国专利 :CN113544817A ,2021-10-22

[3]

硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片 [P].

石桥昌幸 ;

M·吉田 ;

丸冈大介 .

中国专利 :CN113302718A ,2021-08-24

[4]

硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片 [P].

石桥昌幸 ;

M·吉田 ;

丸冈大介 .

日本专利 :CN113302718B ,2024-04-09

[5]

硅外延晶片以及生产硅外延晶片的方法 [P].

吉田知佐 ;

角田均 ;

加藤正弘 .

中国专利 :CN1791705A ,2006-06-21

[6]

硅外延晶片的制造方法 [P].

吉田知佐 ;

樫野久寿 .

中国专利 :CN104106126A ,2014-10-15

[7]

硅外延晶片的制造方法 [P].

高见泽彰一 ;

佐山隆司 .

中国专利 :CN1883032A ,2006-12-20

[8]

硅外延晶片制造装置 [P].

吉武贯 .

中国专利 :CN109778309A ,2019-05-21

[9]

硅外延晶片及其制造方法 [P].

长谷川宏一 ;

大久保裕司 .

中国专利 :CN1304461A ,2001-07-18

[10]

外延生长用硅晶片及外延晶片及其制造方法 [P].

星亮二 ;

园川 .

中国专利 :CN1668786A ,2005-09-14

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