硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980086171.1

申请日：

2019-08-05

公开(公告)号：

CN113544817A

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

石桥昌幸 M·吉田丸冈大介

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

B24B100 C23C1624 C30B2516 C30B2906 H01L21304

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张桂霞;梅黎

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-22	公开	公开
2021-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20190805

共 50 条

[1]

硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片 [P].

石桥昌幸 ;

M·吉田 ;

丸冈大介 .

日本专利 :CN113544817B ,2024-07-09

[2]

硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片 [P].

石桥昌幸 ;

M·吉田 ;

丸冈大介 .

中国专利 :CN113302718A ,2021-08-24

[3]

硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片 [P].

石桥昌幸 ;

M·吉田 ;

丸冈大介 .

日本专利 :CN113302718B ,2024-04-09

[4]

制造硅外延晶片的方法和硅外延晶片 [P].

吉田知佐 ;

岛崎雅广 .

中国专利 :CN100428411C ,2006-07-19

[5]

硅外延晶片以及生产硅外延晶片的方法 [P].

吉田知佐 ;

角田均 ;

加藤正弘 .

中国专利 :CN1791705A ,2006-06-21

[6]

硅外延晶片的制造方法 [P].

吉田知佐 ;

樫野久寿 .

中国专利 :CN104106126A ,2014-10-15

[7]

外延硅晶片的制造方法 [P].

樫野久寿 ;

黛雅典 .

中国专利 :CN102498545A ,2012-06-13

[8]

硅外延晶片的制造方法 [P].

高见泽彰一 ;

佐山隆司 .

中国专利 :CN1883032A ,2006-12-20

[9]

硅外延晶片制造装置 [P].

吉武贯 .

中国专利 :CN109778309A ,2019-05-21

[10]

单晶硅的制造方法、外延硅晶片的制造方法、单晶硅及外延硅晶片 [P].

鸣嶋康人 ;

前川浩一 ;

小川福生 ;

川上泰史 .

中国专利 :CN110730831A ,2020-01-24

← 1 2 3 4 5 →