基于二酮基吡咯并吡咯的半导体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180047342.3

申请日：

2011-09-27

公开(公告)号：

CN103140492B

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

F·维特内尔 S-L·苏拉鲁 P·哈约兹

申请人：

申请人地址：

德国路德维希港

IPC主分类号：

C07D48704

IPC分类号：

C07D51900 H01B112 H01L5100

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

刘金辉;林柏楠

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C07D 487/04 登记生效日:20210915 变更事项:专利权人变更前权利人:巴斯夫欧洲公司变更后权利人:CLAP有限公司变更事项:地址变更前权利人:德国路德维希港变更后权利人:韩国首尔
2013-06-05	公开	公开
2013-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101533352434 IPC(主分类):C07D 487/04 专利申请号:2011800473423 申请日:20110927
2016-06-15	授权	授权

共 50 条

[1]

用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯低聚物 [P].

P·哈约兹 ;

N·舍博塔莱瓦 .

中国专利 :CN103619855A ,2014-03-05

[2]

用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯聚合物 [P].

P·哈约兹 ;

P·比雅尔 .

中国专利 :CN103975454A ,2014-08-06

[3]

用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯聚合物 [P].

P·哈约兹 ;

M·迪格利 ;

N·舍博塔莱瓦 ;

O·F·埃比谢尔 .

中国专利 :CN102892807A ,2013-01-23

[4]

作为有机半导体的二酮基吡咯并吡咯聚合物 [P].

M·G·R·特比茨 ;

R·A·J·詹森 ;

M·M·韦因克 ;

H·J·柯纳 ;

M·杜格利 ;

B·蒂克 ;

Y·朱 .

中国专利 :CN101479272B ,2009-07-08

[5]

用于有机半导体器件中的二酮基吡咯并吡咯聚合物 [P].

M·古吉利 ;

O·F·埃比谢尔 ;

P·哈约兹 ;

M·丰罗多纳图龙 ;

M·G·R·特比兹 ;

J-C·弗洛里斯 ;

H·J·吉尔尼尔 ;

P·穆尔 ;

N·舍博塔莱瓦 ;

T·沙福尔 .

中国专利 :CN102449030A ,2012-05-09

[6]

二酮基吡咯并吡咯低聚物和包含二酮基吡咯并吡咯低聚物的组合物 [P].

P·哈约兹 ;

N·舍博塔莱瓦 ;

Y·H·吉尔茨 ;

S·斯塔斯 ;

J-Y·巴朗迪尔 .

中国专利 :CN104094435B ,2014-10-08

[7]

用于有机半导体器件的二酮吡咯并吡咯聚合物 [P].

M·迪格利 ;

M·扎赫埃特伊施 ;

P·哈约兹 ;

O·F·埃比谢尔 ;

M·丰罗多纳图龙 ;

M·G·R·特比兹 .

中国专利 :CN102203160A ,2011-09-28

[8]

基于稠合二酮基吡咯并吡咯的聚合物 [P].

P·哈约兹 ;

M·格里兹波斯基 ;

D·T·格里科 ;

A·杰泽斯基 .

中国专利 :CN105324441A ,2016-02-10

[9]

二酮基吡咯并吡咯聚合物和小分子 [P].

P·哈约兹 .

中国专利 :CN104334610A ,2015-02-04

[10]

用于有机半导体器件的二酮吡咯并吡咯聚合物 [P].

P·哈约兹 ;

O·F·埃比谢尔 ;

M·迪格利 ;

H·J·吉尔尼尔 ;

M·丰罗多纳图龙 .

中国专利 :CN102362314B ,2012-02-22

← 1 2 3 4 5 →