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碳化硅器件的欧姆接触测试方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201410669159.2
申请日
:
2014-11-20
公开(公告)号
:
CN104316771B
公开(公告)日
:
2015-01-28
发明(设计)人
:
张永平
辛帅
王浩
王硕
申请人
:
申请人地址
:
201204 上海市浦东新区张江高科技园区张衡路200号1号楼2楼
IPC主分类号
:
G01R2714
IPC分类号
:
代理机构
:
上海申新律师事务所 31272
代理人
:
俞涤炯
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2015-02-25
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101599916416 IPC(主分类):G01R 27/14 专利申请号:2014106691592 申请日:20141120
2015-01-28
公开
公开
2017-07-28
授权
授权
共 50 条
[1]
碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件
[P].
刘相伍
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刘相伍
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谭永亮
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谭永亮
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周国
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周国
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闫锐
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闫锐
;
崔玉兴
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崔玉兴
.
中国专利
:CN109524298A
,2019-03-26
[2]
碳化硅衬底上制备欧姆接触电极的方法
[P].
张永平
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张永平
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辛帅
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辛帅
;
戴伟忠
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戴伟忠
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舒畅
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舒畅
.
中国专利
:CN104409341B
,2015-03-11
[3]
适用于高温的碳化硅欧姆接触制作方法及碳化硅功率器件
[P].
谭永亮
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谭永亮
;
张力江
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张力江
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默江辉
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默江辉
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杨中月
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杨中月
;
李亮
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李亮
.
中国专利
:CN109524456A
,2019-03-26
[4]
一种碳化硅欧姆接触制备方法及碳化硅器件制备方法
[P].
张良关
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机构:
苏州德信芯片科技有限公司
苏州德信芯片科技有限公司
张良关
;
蒋正勇
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机构:
苏州德信芯片科技有限公司
苏州德信芯片科技有限公司
蒋正勇
.
中国专利
:CN119811989A
,2025-04-11
[5]
碳化硅欧姆接触的制备方法
[P].
汤晓燕
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汤晓燕
;
李彦良
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李彦良
;
何艳静
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何艳静
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张艺蒙
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张艺蒙
;
宋庆文
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宋庆文
.
中国专利
:CN107993926A
,2018-05-04
[6]
降低碳化硅电阻的背面欧姆接触中间体及碳化硅器件
[P].
李俊
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机构:
杰平方半导体(上海)有限公司
杰平方半导体(上海)有限公司
李俊
.
中国专利
:CN220963240U
,2024-05-14
[7]
一种碳化硅器件的正面欧姆接触的加工方法
[P].
何钧
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何钧
;
李昀佶
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李昀佶
;
倪炜江
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倪炜江
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高怡瑞
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高怡瑞
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牛喜平
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牛喜平
.
中国专利
:CN105470119B
,2016-04-06
[8]
一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法
[P].
史晶晶
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史晶晶
;
李诚瞻
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李诚瞻
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吴佳
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吴佳
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杨程
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杨程
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刘国友
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刘国友
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刘可安
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刘可安
.
中国专利
:CN105244267A
,2016-01-13
[9]
一种碳化硅器件背面欧姆接触的快速退火方法
[P].
李理
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李理
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陈刚
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陈刚
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柏松
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柏松
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陶永洪
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陶永洪
.
中国专利
:CN102768946A
,2012-11-07
[10]
一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法
[P].
周正东
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周正东
;
李诚瞻
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李诚瞻
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刘可安
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刘可安
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刘国友
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刘国友
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史晶晶
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史晶晶
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吴佳
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吴佳
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杨程
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杨程
.
中国专利
:CN105448673A
,2016-03-30
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