一种高阶模选择抑制型垂直面发射激光器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201922047680.3

申请日：

2019-11-25

公开(公告)号：

CN210517326U

公开(公告)日：

2020-05-12

发明(设计)人：

王岩罗帅季海铭

申请人：

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧

IPC主分类号：

H01S5065

IPC分类号：

H01S540 H01S542

代理机构：

武汉今天智汇专利代理事务所(普通合伙) 42228

代理人：

邓寅杰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-12	授权	授权
2023-01-10	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01S 5/065 登记生效日:20221229 变更事项:专利权人变更前权利人:江苏华兴激光科技有限公司变更后权利人:江苏华兴激光科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧变更后权利人:221300 江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧变更事项:专利权人变更前权利人:武汉凹伟能源科技有限公司

共 50 条

[1]

一种高阶模选择抑制型垂直面发射激光器及其制备方法 [P].

王岩 ;

罗帅 ;

季海铭 .

中国专利 :CN110880674A ,2020-03-13

[2]

垂直面腔表面发射激光器 [P].

朱明星 ;

周少将 ;

王伟明 ;

李华 .

中国专利 :CN208078381U ,2018-11-09

[3]

垂直面发射半导体激光器及制造垂直面发射半导体激光器的方法 [P].

中岛博 ;

横关弥树博 ;

渡边知雅 ;

笠原大尔 .

日本专利 :CN117616650A ,2024-02-27

[4]

垂直面腔表面发射激光器及其制备方法 [P].

朱明星 ;

周少将 ;

王伟明 ;

李华 .

中国专利 :CN108777433A ,2018-11-09

[5]

一种入射式多节激发介质膜辅助垂直面发射激光器 [P].

喻寿山 .

中国专利 :CN117691458A ,2024-03-12

[6]

一种大功率增高多节透射滤光垂直面发射激光器 [P].

喻寿山 .

中国专利 :CN117691462A ,2024-03-12

[7]

一种垂直腔面发射激光器 [P].

马德正 ;

陈柏翰 .

中国专利 :CN218040203U ,2022-12-13

[8]

高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器 [P].

王涛 ;

刘俊岐 ;

刘峰奇 ;

张锦川 ;

王利军 ;

王占国 .

中国专利 :CN103633559A ,2014-03-12

[9]

一种1.55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法 [P].

王俊 ;

成卓 ;

胡海洋 ;

马浩源 ;

杨泽园 ;

张然 ;

马星 ;

樊宜冰 ;

黄永清 ;

任晓敏 .

中国专利 :CN106654860A ,2017-05-10

[10]

一种垂直面射型的激光结构 [P].

彭钰仁 .

中国专利 :CN209448215U ,2019-09-27

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