垂直面发射半导体激光器及制造垂直面发射半导体激光器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280047190.5

申请日：

2022-02-07

公开(公告)号：

CN117616650A

公开(公告)日：

2024-02-27

发明(设计)人：

中岛博横关弥树博渡边知雅笠原大尔

申请人：

索尼集团公司

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01S5/183

IPC分类号：

H01S5/343

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

沈丹阳

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-13	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回IPC(主分类):H01S 5/183申请公布日:20240227
2024-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/183申请日:20220207
2024-02-27	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直面腔表面发射激光器 [P].

朱明星 ;

周少将 ;

王伟明 ;

李华 .

中国专利 :CN208078381U ,2018-11-09

[2]

垂直腔面发射半导体激光器结构 [P].

廖文渊 ;

谭满清 ;

韦欣 ;

郭文涛 .

中国专利 :CN111435781B ,2020-07-21

[3]

垂直腔面发射半导体激光器 [P].

宁永强 ;

李秀山 ;

王立军 ;

贾鹏 ;

刘云 ;

秦莉 ;

张星 .

中国专利 :CN104300364B ,2015-01-21

[4]

高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器 [P].

王涛 ;

刘俊岐 ;

刘峰奇 ;

张锦川 ;

王利军 ;

王占国 .

中国专利 :CN103633559A ,2014-03-12

[5]

面发射半导体激光器 [P].

小山雄司 .

中国专利 :CN114142340A ,2022-03-04

[6]

单模垂直腔面发射半导体激光器 [P].

黄永箴 .

中国专利 :CN1098552C ,2000-01-26

[7]

面发射半导体激光器 [P].

徐长达 ;

金亚 ;

穆春元 ;

陈伟 ;

李明 ;

祝宁华 .

中国专利 :CN113964648B ,2024-03-26

[8]

面发射半导体激光器 [P].

徐长达 ;

金亚 ;

穆春元 ;

陈伟 ;

李明 ;

祝宁华 .

中国专利 :CN113964648A ,2022-01-21

[9]

面发射半导体激光器 [P].

山本匡史 ;

辻祐史 ;

高水大树 ;

村山实 .

中国专利 :CN111133642B ,2020-05-08

[10]

表面发射半导体激光器 [P].

马库斯－克里斯琴·阿曼 ;

马库斯·奥特西弗 .

中国专利 :CN1263207C ,2004-04-21

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