表面发射半导体激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02805019.3

申请日：

2002-02-15

公开(公告)号：

CN1263207C

公开(公告)日：

2004-04-21

发明(设计)人：

马库斯－克里斯琴·阿曼马库斯·奥特西弗

申请人：

申请人地址：

德国加尔兴

IPC主分类号：

H01S5183

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

侯宇;陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-04-21	公开	公开
2008-04-23	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-07-05	授权	授权
2004-06-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

表面发射半导体激光器 [P].

植木伸明 .

中国专利 :CN1224149C ,2004-02-04

[2]

表面发射半导体激光器装置 [P].

盖德·艾伯特·罗格若 ;

方瑞雨 ;

阿里桑德罗·斯塔诺 ;

朱莉安娜·莫若罗 .

中国专利 :CN102610997A ,2012-07-25

[3]

在表面发射半导体激光器中产生波导结构的方法及表面发射半导体激光器 [P].

马库斯·C·阿曼 .

中国专利 :CN1762078A ,2006-04-19

[4]

表面发射型半导体激光器 [P].

山本将央 ;

樱井淳 .

中国专利 :CN1747263A ,2006-03-15

[5]

面发射半导体激光器 [P].

徐长达 ;

金亚 ;

穆春元 ;

陈伟 ;

李明 ;

祝宁华 .

中国专利 :CN113964648B ,2024-03-26

[6]

面发射半导体激光器 [P].

徐长达 ;

金亚 ;

穆春元 ;

陈伟 ;

李明 ;

祝宁华 .

中国专利 :CN113964648A ,2022-01-21

[7]

面发射半导体激光器 [P].

山本匡史 ;

辻祐史 ;

高水大树 ;

村山实 .

中国专利 :CN111133642B ,2020-05-08

[8]

面发射半导体激光器 [P].

小山雄司 .

中国专利 :CN114142340A ,2022-03-04

[9]

表面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

植木伸明 .

中国专利 :CN1235320C ,2004-01-14

[10]

表面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

大森诚也 .

中国专利 :CN1741332B ,2006-03-01

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