表面发射半导体激光器装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210020795.3

申请日：

2012-01-18

公开(公告)号：

CN102610997A

公开(公告)日：

2012-07-25

发明(设计)人：

盖德·艾伯特·罗格若方瑞雨阿里桑德罗·斯塔诺朱莉安娜·莫若罗

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市

IPC主分类号：

H01S5026

IPC分类号：

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

宋鹤

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01S 5/026 登记生效日:20181029 变更事项:专利权人变更前权利人:安华高科技通用IP(新加坡)公司变更后权利人:安华高科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:新加坡新加坡市变更后权利人:新加坡新加坡市
2013-05-08	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101589214290 IPC(主分类):H01S 5/026 专利申请号:2012100207953 变更事项:申请人变更前权利人:安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司变更后权利人:安华高科技通用IP(新加坡)公司变更事项:地址变更前权利人:新加坡新加坡市变更后权利人:新加坡新加坡市登记生效日:20130419
2020-11-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01S 5/026 登记生效日:20201026 变更事项:专利权人变更前权利人:安华高科技股份有限公司变更后权利人:博通国际私人有限公司变更事项:地址变更前权利人:新加坡新加坡市变更后权利人:新加坡新加坡市
2015-04-01	授权	授权
2012-07-25	公开	公开
2013-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101472722349 IPC(主分类):H01S 5/026 专利申请号:2012100207953 申请日:20120118

共 50 条

[1]

半导体激光器件 [P].

方瑞雨 ;

盖德·艾伯特·罗格若 ;

朱莉安娜·莫若罗 ;

罗伯拓·帕沃勒特 ;

迈克勒·埃戈斯特 .

中国专利 :CN102629733A ,2012-08-08

[2]

表面发射半导体激光器 [P].

马库斯－克里斯琴·阿曼 ;

马库斯·奥特西弗 .

中国专利 :CN1263207C ,2004-04-21

[3]

表面发射半导体激光器 [P].

植木伸明 .

中国专利 :CN1224149C ,2004-02-04

[4]

表面发射型半导体激光器 [P].

山本将央 ;

樱井淳 .

中国专利 :CN1747263A ,2006-03-15

[5]

表面发射半导体激光器装置及制造该装置的方法 [P].

方瑞雨 ;

盖德·艾伯特·罗格若 ;

路易吉·塔隆 .

中国专利 :CN102769252A ,2012-11-07

[6]

面发射半导体激光器 [P].

徐长达 ;

金亚 ;

穆春元 ;

陈伟 ;

李明 ;

祝宁华 .

中国专利 :CN113964648B ,2024-03-26

[7]

边发射半导体激光器 [P].

克里斯蒂安·劳尔 ;

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 .

中国专利 :CN102598440A ,2012-07-18

[8]

面发射半导体激光器 [P].

徐长达 ;

金亚 ;

穆春元 ;

陈伟 ;

李明 ;

祝宁华 .

中国专利 :CN113964648A ,2022-01-21

[9]

边发射半导体激光器 [P].

克里斯蒂安·劳尔 ;

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 .

中国专利 :CN104319625A ,2015-01-28

[10]

面发射半导体激光器 [P].

山本匡史 ;

辻祐史 ;

高水大树 ;

村山实 .

中国专利 :CN111133642B ,2020-05-08

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