表面发射型半导体激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510095824.2

申请日：

2003-08-15

公开(公告)号：

CN1747263A

公开(公告)日：

2006-03-15

发明(设计)人：

山本将央樱井淳

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01S518

IPC分类号：

H01S530

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

任默闻

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-03-15	公开	公开
2006-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

表面发射型半导体激光器及其制造方法 [P].

山本将史 ;

樱井淳 .

中国专利 :CN1508915A ,2004-06-30

[2]

表面发射半导体激光器 [P].

马库斯－克里斯琴·阿曼 ;

马库斯·奥特西弗 .

中国专利 :CN1263207C ,2004-04-21

[3]

表面发射半导体激光器 [P].

植木伸明 .

中国专利 :CN1224149C ,2004-02-04

[4]

半导体激光器 [P].

中村厚 .

美国专利 :CN120109645A ,2025-06-06

[5]

表面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

植木伸明 .

中国专利 :CN1235320C ,2004-01-14

[6]

表面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

大森诚也 .

中国专利 :CN1741332B ,2006-03-01

[7]

表面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

大森诚也 .

中国专利 :CN100524984C ,2004-06-30

[8]

表面发射半导体激光器装置 [P].

盖德·艾伯特·罗格若 ;

方瑞雨 ;

阿里桑德罗·斯塔诺 ;

朱莉安娜·莫若罗 .

中国专利 :CN102610997A ,2012-07-25

[9]

面发射半导体激光器 [P].

小山雄司 .

中国专利 :CN114142340A ,2022-03-04

[10]

在表面发射半导体激光器中产生波导结构的方法及表面发射半导体激光器 [P].

马库斯·C·阿曼 .

中国专利 :CN1762078A ,2006-04-19

← 1 2 3 4 5 →