表面发射半导体激光器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03156934.X

申请日：

2003-09-15

公开(公告)号：

CN100524984C

公开(公告)日：

2004-06-30

发明(设计)人：

大森诚也

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01S518

IPC分类号：

H01S5183

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

李辉

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-21	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01S 5/18 变更事项:专利权人变更前:富士施乐株式会社变更后:富士胶片商业创新有限公司变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京
2009-08-05	授权	授权
2004-06-30	公开	公开
2004-09-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

表面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

大森诚也 .

中国专利 :CN1741332B ,2006-03-01

[2]

表面发射型半导体激光器及其制造方法 [P].

山本将史 ;

樱井淳 .

中国专利 :CN1508915A ,2004-06-30

[3]

表面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

植木伸明 .

中国专利 :CN1235320C ,2004-01-14

[4]

表面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

植木伸明 ;

乙间广己 ;

村上朱实 ;

坂本朗 .

中国专利 :CN1271764C ,2003-11-05

[5]

表面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

铃木贞一 ;

长尾太介 .

中国专利 :CN101304157A ,2008-11-12

[6]

表面发射型半导体激光器 [P].

山本将央 ;

樱井淳 .

中国专利 :CN1747263A ,2006-03-15

[7]

表面发射半导体激光器 [P].

马库斯－克里斯琴·阿曼 ;

马库斯·奥特西弗 .

中国专利 :CN1263207C ,2004-04-21

[8]

表面发射半导体激光器 [P].

植木伸明 .

中国专利 :CN1224149C ,2004-02-04

[9]

表面发射半导体激光器及其制备方法 [P].

王磊 ;

薛维亮 .

中国专利 :CN117913653A ,2024-04-19

[10]

在表面发射半导体激光器中产生波导结构的方法及表面发射半导体激光器 [P].

马库斯·C·阿曼 .

中国专利 :CN1762078A ,2006-04-19

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