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一种用于水平液相外延生长的石墨舟
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811287220.1
申请日
:
2018-10-31
公开(公告)号
:
CN111118597B
公开(公告)日
:
2020-05-08
发明(设计)人
:
邸拴虎
袁卫华
魏唯
罗才旺
罗臻
申请人
:
申请人地址
:
410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号
IPC主分类号
:
C30B1906
IPC分类号
:
代理机构
:
湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008
代理人
:
周长清;徐好
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-05-08
公开
公开
2020-06-02
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 19/06 申请日:20181031
2022-03-29
授权
授权
共 50 条
[1]
一种用于水平液相外延生长的石墨舟
[P].
罗才旺
论文数:
0
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0
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0
罗才旺
;
陈峰武
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陈峰武
;
魏唯
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魏唯
.
中国专利
:CN107779948A
,2018-03-09
[2]
一种用于液相外延生长的石墨舟及液相外延生长方法
[P].
田震
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田震
;
周立庆
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周立庆
;
马建立
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0
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马建立
;
胡尚正
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0
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0
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胡尚正
.
中国专利
:CN102995115B
,2013-03-27
[3]
水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法和生长方法
[P].
不公告发明人
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0
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0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN112080796B
,2020-12-15
[4]
水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法和生长方法
[P].
不公告发明人
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0
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0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN111962146A
,2020-11-20
[5]
减少表面缺陷的水平液相外延石墨舟以及水平液相外延生长方法
[P].
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机构:
黄晟
;
黄立
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
黄立
;
张冰洁
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
张冰洁
;
彭清琪
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
彭清琪
.
中国专利
:CN118910719A
,2024-11-08
[6]
一种用于碲镉汞薄膜水平液相外延生长的石墨舟
[P].
杨海燕
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杨海燕
;
胡尚正
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胡尚正
;
郭明珠
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郭明珠
;
周立庆
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周立庆
.
中国专利
:CN106637390A
,2017-05-10
[7]
能减少表面宏观波纹的水平液相外延石墨舟以及水平液相外延生长方法
[P].
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机构:
黄晟
;
黄立
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
黄立
;
张冰洁
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
张冰洁
;
彭清琪
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
彭清琪
.
中国专利
:CN118910718A
,2024-11-08
[8]
水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法及生长方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN114934317A
,2022-08-23
[9]
一种用于镓铟系合金液相外延生长的石墨舟
[P].
论文数:
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机构:
杨万丽
;
论文数:
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机构:
林虹宇
;
张天宁
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机构:
国科大杭州高等研究院
国科大杭州高等研究院
张天宁
;
朱家旗
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机构:
国科大杭州高等研究院
国科大杭州高等研究院
朱家旗
;
单玉凤
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机构:
国科大杭州高等研究院
国科大杭州高等研究院
单玉凤
;
俞国林
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机构:
国科大杭州高等研究院
国科大杭州高等研究院
俞国林
;
论文数:
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机构:
戴宁
.
中国专利
:CN120231121B
,2025-09-12
[10]
一种用于镓铟系合金液相外延生长的石墨舟
[P].
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引用数:
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机构:
杨万丽
;
论文数:
引用数:
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机构:
林虹宇
;
张天宁
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机构:
国科大杭州高等研究院
国科大杭州高等研究院
张天宁
;
朱家旗
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机构:
国科大杭州高等研究院
国科大杭州高等研究院
朱家旗
;
单玉凤
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机构:
国科大杭州高等研究院
国科大杭州高等研究院
单玉凤
;
俞国林
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机构:
国科大杭州高等研究院
国科大杭州高等研究院
俞国林
;
论文数:
引用数:
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机构:
戴宁
.
中国专利
:CN120231121A
,2025-07-01
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