Q－调制半导体激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610050484.6

申请日：

2006-04-24

公开(公告)号：

CN100428589C

公开(公告)日：

2006-09-27

发明(设计)人：

何建军

申请人：

申请人地址：

310012浙江省杭州市古墩路369号金田花园4幢1单元402室

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

H01S510 H01S506

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

林怀禹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-09-27	公开	公开
2008-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

Q－调制半导体激光器 [P].

何建军 .

中国专利 :CN200953431Y ,2007-09-26

[2]

带有电吸收光栅结构的Q－调制半导体激光器 [P].

何建军 .

中国专利 :CN1851990A ,2006-10-25

[3]

一种带有电吸收光栅结构的Q－调制半导体激光器 [P].

何建军 .

中国专利 :CN200987037Y ,2007-12-05

[4]

高速调制半导体激光器 [P].

戴道锌 .

中国专利 :CN101325313A ,2008-12-17

[5]

高频半导体激光器调制器 [P].

孙渝生 ;

范丽娟 .

中国专利 :CN2456341Y ,2001-10-24

[6]

半导体激光器 [P].

上村裕规 .

中国专利 :CN101488639A ,2009-07-22

[7]

半导体激光器 [P].

郭成成 ;

卢源 ;

唐瑞来 ;

王文娟 ;

闫大鹏 .

中国专利 :CN119275713A ,2025-01-07

[8]

半导体激光器 [P].

川口佳伸 ;

神川刚 .

中国专利 :CN101232151B ,2008-07-30

[9]

半导体激光器 [P].

郑婉华 ;

徐林海 ;

王宇飞 ;

贾宇飞 .

中国专利 :CN111952839B ,2020-11-17

[10]

半导体激光器模块、半导体激光器光源和半导体激光器系统 [P].

前田纯也 ;

远藤和幸 ;

大宫丈典 ;

森田刚德 ;

吉田治正 ;

宫岛博文 .

中国专利 :CN104914518A ,2015-09-16

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