Q－调制半导体激光器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200620102994.9

申请日：

2006-04-24

公开(公告)号：

CN200953431Y

公开(公告)日：

2007-09-26

发明(设计)人：

何建军

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市古墩路369号金田花园4幢1单元402室

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

H01S510 H01S506

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

林怀禹

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-09-26	授权	授权
2010-08-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101004366602 IPC(主分类):H01S 5/00 专利号:ZL2006201029949 申请日:20060424 授权公告日:20070926

共 50 条

[1]

Q－调制半导体激光器 [P].

何建军 .

中国专利 :CN100428589C ,2006-09-27

[2]

带有电吸收光栅结构的Q－调制半导体激光器 [P].

何建军 .

中国专利 :CN1851990A ,2006-10-25

[3]

一种带有电吸收光栅结构的Q－调制半导体激光器 [P].

何建军 .

中国专利 :CN200987037Y ,2007-12-05

[4]

高速调制半导体激光器 [P].

戴道锌 .

中国专利 :CN101325313A ,2008-12-17

[5]

半导体激光器模组及半导体激光器 [P].

蒋峰 ;

吕张勇 ;

邱小兵 ;

李菡 ;

李永高 ;

李权 .

中国专利 :CN221447692U ,2024-07-30

[6]

DFB半导体激光器 [P].

周美玲 .

中国专利 :CN213584593U ,2021-06-29

[7]

高频半导体激光器调制器 [P].

孙渝生 ;

范丽娟 .

中国专利 :CN2456341Y ,2001-10-24

[8]

半导体激光器 [P].

上村裕规 .

中国专利 :CN101488639A ,2009-07-22

[9]

半导体激光器 [P].

陈晓华 ;

张建强 ;

于振坤 ;

徐丹 ;

吴元锴 ;

林一凡 ;

王柳 ;

郎超 .

中国专利 :CN221447693U ,2024-07-30

[10]

半导体激光器 [P].

周少丰 ;

刘鹏 ;

陈丕新 .

中国专利 :CN210490085U ,2020-05-08

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