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具有假条件关闭的主动控制瞬态过应力保护的装置和方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710123178.9
申请日
:
2017-03-03
公开(公告)号
:
CN107154615A
公开(公告)日
:
2017-09-12
发明(设计)人
:
S·帕萨萨拉希
J·萨克多
申请人
:
申请人地址
:
美国马萨诸塞州
IPC主分类号
:
H02H904
IPC分类号
:
代理机构
:
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
:
欧阳帆
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-06-09
授权
授权
2017-10-10
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101751627349 IPC(主分类):H02H 9/04 专利申请号:2017101231789 申请日:20170303
2017-09-12
公开
公开
共 50 条
[1]
化合物半导体电路应用中的瞬态过应力保护的装置和方法
[P].
S·帕萨萨拉希
论文数:
0
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0
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S·帕萨萨拉希
;
J·A·塞尔瑟多
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J·A·塞尔瑟多
.
中国专利
:CN107104102B
,2017-08-29
[2]
用于具有正反馈的瞬态过载保护的装置和方法
[P].
S·帕萨萨拉希
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0
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0
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S·帕萨萨拉希
;
J·A·塞尔瑟多
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J·A·塞尔瑟多
;
S·赫雷拉
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S·赫雷拉
.
中国专利
:CN105281307B
,2016-01-27
[3]
包括过应力保护的转换器
[P].
N·加涅
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N·加涅
;
科奈斯·P·斯诺登
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科奈斯·P·斯诺登
.
中国专利
:CN103457597A
,2013-12-18
[4]
用于耐高电压高速接口的具有低漏电流的电过应力保护
[P].
J·萨尔塞多
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J·萨尔塞多
;
S·帕萨萨拉希
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S·帕萨萨拉希
;
E·博世
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E·博世
.
中国专利
:CN113272956A
,2021-08-17
[5]
用于耐高电压高速接口的具有低漏电流的电过应力保护
[P].
J·萨尔塞多
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机构:
亚德诺半导体国际无限责任公司
亚德诺半导体国际无限责任公司
J·萨尔塞多
;
S·帕萨萨拉希
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机构:
亚德诺半导体国际无限责任公司
亚德诺半导体国际无限责任公司
S·帕萨萨拉希
;
E·博世
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机构:
亚德诺半导体国际无限责任公司
亚德诺半导体国际无限责任公司
E·博世
.
:CN113272956B
,2024-06-11
[6]
具有应力保护的坡口焊缝的结构和形成具有应力保护的坡口焊缝的结构的结构构件
[P].
D·R·格里菲斯
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D·R·格里菲斯
;
M·诺布尔
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M·诺布尔
;
W·乌利齐
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W·乌利齐
;
C·路
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C·路
;
L·潘
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L·潘
;
H·王
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H·王
;
D·斯蒂克尔
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D·斯蒂克尔
;
K·埃格兰德
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K·埃格兰德
;
J·R·哈马尔
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J·R·哈马尔
;
S·约翰逊
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S·约翰逊
;
T·W·奥姆斯特德
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T·W·奥姆斯特德
.
中国专利
:CN110198806B
,2019-09-03
[7]
用于电过应力和静电放电保护的方法和器件
[P].
D.J.罗斯
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D.J.罗斯
;
W.A.拉塞尔
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W.A.拉塞尔
;
J.克拉克
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0
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J.克拉克
.
中国专利
:CN108666303A
,2018-10-16
[8]
用于耐高电压高速接口的具有低漏电流的电过应力保护
[P].
J·萨尔塞多
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0
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0
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机构:
亚德诺半导体国际无限责任公司
亚德诺半导体国际无限责任公司
J·萨尔塞多
;
S·帕萨萨拉希
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机构:
亚德诺半导体国际无限责任公司
亚德诺半导体国际无限责任公司
S·帕萨萨拉希
;
E·博世
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机构:
亚德诺半导体国际无限责任公司
亚德诺半导体国际无限责任公司
E·博世
.
:CN118610206A
,2024-09-06
[9]
用于大密度和高数据速率通信应用的分布式电气过应力保护
[P].
J·A·萨塞多
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0
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J·A·萨塞多
;
A·勒温
论文数:
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A·勒温
.
中国专利
:CN111668207A
,2020-09-15
[10]
电应力保护电路以及包括其的电子装置
[P].
洪炳日
论文数:
0
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0
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洪炳日
.
中国专利
:CN113346882A
,2021-09-03
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