一种具有超结的RB-IGBT

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610513921.7

申请日：

2016-07-01

公开(公告)号：

CN105932056B

公开(公告)日：

2016-09-07

发明(设计)人：

罗小蓉黄琳华周坤邓高强张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-31	授权	授权
2016-09-07	公开	公开
2016-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101681318395 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2016105139217 申请日:20160701

共 50 条

[1]

一种超结RB-IGBT器件结构 [P].

吴玉舟 ;

刘铁川 ;

李欣 ;

李菲 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN216980569U ,2022-07-15

[2]

一种超结RB-IGBT器件结构及其制造方法 [P].

吴玉舟 ;

刘铁川 ;

李欣 ;

李菲 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN113725282A ,2021-11-30

[3]

一种超结RB-IGBT器件结构及其制造方法 [P].

吴玉舟 ;

刘铁川 ;

李欣 ;

李菲 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN113725282B ,2025-12-30

[4]

一种低开启电压的超结RB-IGBT器件 [P].

吴玉舟 ;

李菲 ;

李欣 ;

刘铁川 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN113725280A ,2021-11-30

[5]

一种低开启电压的超结RB-IGBT器件 [P].

吴玉舟 ;

李菲 ;

李欣 ;

刘铁川 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN215731726U ,2022-02-01

[6]

一种低开启电压的超结RB-IGBT器件 [P].

吴玉舟 ;

李菲 ;

李欣 ;

刘铁川 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN113725280B ,2025-12-30

[7]

RB-IGBT芯片的制作方法及RB-IGBT芯片 [P].

滕渊 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

田晓丽 .

中国专利 :CN106711037A ,2017-05-24

[8]

RB-IGBT芯片的制作方法及RB-IGBT芯片 [P].

滕渊 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

田晓丽 .

中国专利 :CN106711089A ,2017-05-24

[9]

一种RB-IGBT的制备方法 [P].

滕渊 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

田晓丽 .

中国专利 :CN103632960A ,2014-03-12

[10]

一种具有阳极短路槽的RB‑IGBT [P].

罗小蓉 ;

孙涛 ;

黄琳华 ;

邓高强 ;

周坤 ;

张波 .

中国专利 :CN106783989A ,2017-05-31

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