RB-IGBT芯片的制作方法及RB-IGBT芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510770347.9

申请日：

2015-11-12

公开(公告)号：

CN106711089A

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

滕渊朱阳军卢烁今田晓丽

申请人：

申请人地址：

200120 上海市浦东新区金桥路939号宏南投资大厦1513室

IPC主分类号：

H01L2178

IPC分类号：

H01L2966 H01L29739

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王宝筠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	公开	公开
2021-07-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/78 申请公布日:20170524
2018-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/78 申请日:20151112

共 31 条

[1]

RB-IGBT芯片的制作方法及RB-IGBT芯片 [P].

滕渊 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

田晓丽 .

中国专利 :CN106711037A ,2017-05-24

[2]

一种RB-IGBT的制备方法 [P].

滕渊 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

田晓丽 .

中国专利 :CN103632960A ,2014-03-12

[3]

一种低压RB-IGBT的制备方法 [P].

滕渊 ;

朱阳军 ;

田晓丽 ;

卢烁今 .

中国专利 :CN103617955A ,2014-03-05

[4]

一种具有超结的RB-IGBT [P].

罗小蓉 ;

黄琳华 ;

周坤 ;

邓高强 ;

张波 .

中国专利 :CN105932056B ,2016-09-07

[5]

一种超结RB-IGBT器件结构 [P].

吴玉舟 ;

刘铁川 ;

李欣 ;

李菲 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN216980569U ,2022-07-15

[6]

一种超结RB-IGBT器件结构及其制造方法 [P].

吴玉舟 ;

刘铁川 ;

李欣 ;

李菲 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN113725282A ,2021-11-30

[7]

一种超结RB-IGBT器件结构及其制造方法 [P].

吴玉舟 ;

刘铁川 ;

李欣 ;

李菲 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN113725282B ,2025-12-30

[8]

一种低开启电压的超结RB-IGBT器件 [P].

吴玉舟 ;

李菲 ;

李欣 ;

刘铁川 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN113725280A ,2021-11-30

[9]

一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件 [P].

李泽宏 ;

杨文韬 ;

宋洵奕 ;

陈钱 ;

单亚东 ;

张金平 ;

任敏 .

中国专利 :CN103258847B ,2013-08-21

[10]

一种低开启电压的超结RB-IGBT器件 [P].

吴玉舟 ;

李菲 ;

李欣 ;

刘铁川 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN215731726U ,2022-02-01

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