具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921907505.0

申请日：

2019-11-07

公开(公告)号：

CN210805779U

公开(公告)日：

2020-06-19

发明(设计)人：

吴宗宪陈彦豪

申请人：

申请人地址：

215612 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技创业园E幢2楼

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2940 H01L2906 H01L27088 H01L218234 H01L2128

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;涂三民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-19	授权	授权

共 50 条

[1]

具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构及制作方法 [P].

吴宗宪 ;

陈彦豪 .

中国专利 :CN110676312A ,2020-01-10

[2]

具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构 [P].

吴宗宪 ;

陈彦豪 .

中国专利 :CN210379056U ,2020-04-21

[3]

具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构及其制作方法 [P].

吴宗宪 ;

陈彦豪 .

中国专利 :CN110739346A ,2020-01-31

[4]

一种具有阶梯形氧化层的屏蔽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

吴宗宪 ;

王宇澄 .

中国专利 :CN207441706U ,2018-06-01

[5]

具有阶梯深槽屏蔽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

张艳旺 .

中国专利 :CN211404508U ,2020-09-01

[6]

一种具有阶梯形氧化层的屏蔽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

吴宗宪 ;

王宇澄 .

中国专利 :CN107681006A ,2018-02-09

[7]

屏蔽栅沟槽型MOS器件的外围终端结构 [P].

程光 ;

王丽 ;

邱立军 ;

卫乐平 ;

刘秀勇 ;

王朋 .

中国专利 :CN120302699A ,2025-07-11

[8]

一种具有渐变氧化层的屏蔽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

吴宗宪 ;

王宇澄 .

中国专利 :CN207474468U ,2018-06-08

[9]

带有屏蔽栅结构的IGBT器件 [P].

廖巍 ;

张海涛 .

中国专利 :CN213424995U ,2021-06-11

[10]

一种结合屏蔽栅的SJ MOS器件结构 [P].

吴宗宪 ;

陈彦豪 .

中国专利 :CN210379055U ,2020-04-21

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