一种具有阶梯形氧化层的屏蔽栅MOS结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711057348.4

申请日：

2017-11-01

公开(公告)号：

CN107681006A

公开(公告)日：

2018-02-09

发明(设计)人：

钱振华吴宗宪王宇澄

申请人：

申请人地址：

215612 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技创业园E幢2楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171101
2018-02-09	公开	公开
2020-05-08	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20200420 变更事项:申请人变更前权利人:苏州凤凰芯电子科技有限公司变更后权利人:无锡橙芯微电子科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:215612 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技创业园E幢2楼变更后权利人:214063 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10栋207

共 50 条

[1]

一种具有阶梯形氧化层的屏蔽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

吴宗宪 ;

王宇澄 .

中国专利 :CN207441706U ,2018-06-01

[2]

一种具有渐变氧化层的屏蔽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

吴宗宪 ;

王宇澄 .

中国专利 :CN107634093A ,2018-01-26

[3]

一种具有渐变氧化层的屏蔽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

吴宗宪 ;

王宇澄 .

中国专利 :CN207474468U ,2018-06-08

[4]

具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构 [P].

吴宗宪 ;

陈彦豪 .

中国专利 :CN210805779U ,2020-06-19

[5]

具有阶梯深槽屏蔽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

张艳旺 .

中国专利 :CN211404508U ,2020-09-01

[6]

具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构及制作方法 [P].

吴宗宪 ;

陈彦豪 .

中国专利 :CN110676312A ,2020-01-10

[7]

一种具有渐变深槽的屏蔽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

吴宗宪 ;

王宇澄 .

中国专利 :CN107799585A ,2018-03-13

[8]

一种具有渐变深槽的屏蔽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

吴宗宪 ;

王宇澄 .

中国专利 :CN207925474U ,2018-09-28

[9]

具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

张艳旺 .

中国专利 :CN210926025U ,2020-07-03

[10]

能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构 [P].

吴宗宪 ;

陈彦豪 .

中国专利 :CN210379058U ,2020-04-21

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