一种高稳定性的氮化镓功率半导体

被引：0

申请号：

CN202210929251.2

申请日：

2022-08-03

公开(公告)号：

CN115360237A

公开(公告)日：

2022-11-18

发明(设计)人：

刘劼

申请人：

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道桥路326号1幢4楼419室

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

北京深川专利代理事务所(普通合伙) 16058

代理人：

杨鑫鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-18	公开	公开
2022-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20220803

共 50 条

[1]

一种具有高阈值稳定性型氮化镓功率半导体器件 [P].

刘斯扬 ;

张弛 ;

辛树轩 ;

李胜 ;

钱乐 ;

葛晨 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112331720B ,2021-02-05

[2]

热稳定性好的高功率半导体组件 [P].

斯科·K·雷 ;

安荷·叭刺 ;

圣杰·哈佛纳 .

中国专利 :CN101479940A ,2009-07-08

[3]

一种易于安装的氮化镓功率半导体 [P].

刘劼 .

中国专利 :CN218160338U ,2022-12-27

[4]

一种耐高温的氮化镓功率半导体 [P].

刘劼 .

中国专利 :CN115346947A ,2022-11-15

[5]

一种易于安装的氮化镓功率半导体 [P].

刘劼 .

中国专利 :CN115360146A ,2022-11-18

[6]

一种氮化镓半导体功率器件 [P].

张铭宏 ;

郭超凡 ;

王中党 ;

高吴昊 .

中国专利 :CN223584623U ,2025-11-21

[7]

一种带有防护结构的氮化镓功率半导体 [P].

刘一锋 .

中国专利 :CN218241823U ,2023-01-06

[8]

一种带有终止结构的氮化镓功率半导体 [P].

刘一锋 .

中国专利 :CN115020470A ,2022-09-06

[9]

高稳定性半导体纳米材料 [P].

曾焕伟 ;

曾昱睿 ;

周君玮 ;

廖佳君 ;

蔡佳怡 ;

黄亭瑜 .

中国专利 :CN114540030B ,2024-05-03

[10]

高稳定性半导体纳米材料 [P].

曾焕伟 ;

曾昱睿 ;

周君玮 ;

廖佳君 ;

蔡佳怡 ;

黄亭瑜 .

中国专利 :CN114540030A ,2022-05-27

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