热稳定性好的高功率半导体组件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780024061.X

申请日：

2007-06-29

公开(公告)号：

CN101479940A

公开(公告)日：

2009-07-08

发明(设计)人：

斯科·K·雷安荷·叭刺圣杰·哈佛纳

申请人：

申请人地址：

百慕大哈密尔顿

IPC主分类号：

H03K17687

IPC分类号：

代理机构：

上海新天专利代理有限公司

代理人：

张静洁;王敏杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-08	公开	公开
2009-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-01-03	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H03K 17/687 登记号:Y2019500000007 登记生效日:20191210 出质人:重庆万国半导体科技有限公司质权人:国家开发银行重庆市分行发明名称:热稳定性好的高功率半导体组件申请日:20070629 授权公告日:20120229
2016-11-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741742957 IPC(主分类):H03K 17/687 专利号:ZL200780024061X 登记生效日:20161028 变更事项:专利权人变更前权利人:万国半导体股份有限公司变更后权利人:重庆万国半导体科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:百慕大哈密尔顿变更后权利人:400700 重庆市北碚区水土高新技术产业园云汉大道5号附407
2012-02-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高稳定性的氮化镓功率半导体 [P].

刘劼 .

中国专利 :CN115360237A ,2022-11-18

[2]

高稳定性半导体纳米材料 [P].

曾焕伟 ;

曾昱睿 ;

周君玮 ;

廖佳君 ;

蔡佳怡 ;

黄亭瑜 .

中国专利 :CN114540030B ,2024-05-03

[3]

高稳定性半导体纳米材料 [P].

曾焕伟 ;

曾昱睿 ;

周君玮 ;

廖佳君 ;

蔡佳怡 ;

黄亭瑜 .

中国专利 :CN114540030A ,2022-05-27

[4]

高稳定性半导体大功率激光器模块高指向稳定性的装置 [P].

朱金通 ;

刘华 .

中国专利 :CN209298562U ,2019-08-23

[5]

一种小功率半导体激光器的高功率稳定性的驱动电路 [P].

赵鹏飞 ;

闫杰 ;

王峰 ;

唐军 ;

赵青杨 ;

房玲 .

中国专利 :CN209844203U ,2019-12-24

[6]

高功率半导体元件 [P].

陈明钦 ;

林奕志 ;

杜尚儒 .

中国专利 :CN107680999B ,2018-02-09

[7]

功率半导体组件 [P].

李俊融 .

中国专利 :CN217881507U ,2022-11-22

[8]

功率半导体组件 [P].

新井大夏 ;

齐藤克明 ;

川瀬大助 ;

三间彬 ;

和田崇 .

日本专利 :CN118613914A ,2024-09-06

[9]

功率MOSFET芯片热稳定性评价方法 [P].

吴玉强 ;

张洪亮 ;

郝勇 ;

郑花 ;

颜添 ;

郭美洋 ;

孙喜鹏 ;

李培 ;

田翠翠 .

中国专利 :CN119667446A ,2025-03-21

[10]

高热稳定性的功率器件的封装方法 [P].

高光渤 .

中国专利 :CN85106736A ,1986-02-10

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