高功率半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710609477.3

申请日：

2017-07-25

公开(公告)号：

CN107680999B

公开(公告)日：

2018-02-09

发明(设计)人：

陈明钦林奕志杜尚儒

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20170725
2018-02-09	公开	公开
2022-05-24	授权	授权

共 50 条

[1]

用于高功率半导体元件的测试电路 [P].

C.哈恩 ;

M.卢瑟 ;

R.纽伯特 ;

M.乌德尔 ;

S.米勒 ;

A.塞梅罗 ;

C.温德尔 ;

T.文德勒 .

中国专利 :CN106662617A ,2017-05-10

[2]

功率半导体元件 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN110148595A ,2019-08-20

[3]

功率半导体元件 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN110391296A ,2019-10-29

[4]

功率半导体元件 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN208271904U ,2018-12-21

[5]

功率半导体元件 [P].

斋藤涉 ;

大村一郎 ;

木下浩三 .

中国专利 :CN100550416C ,2007-11-14

[6]

高功率半导体模块 [P].

T.维克斯特雷姆 ;

T.塞茨 .

中国专利 :CN104282647B ,2015-01-14

[7]

主板芯片式立脚型高功率半导体元件 [P].

黃安正 ;

余河洁 .

中国专利 :CN205900522U ,2017-01-18

[8]

双向功率半导体元件 [P].

E·拉梅扎尼 ;

J·沃尔德迈耶 .

中国专利 :CN1211081A ,1999-03-17

[9]

功率半导体接触元件 [P].

杜高峰 ;

邱丽丽 .

中国专利 :CN307463867S ,2022-07-22

[10]

功率半导体接插元件 [P].

周祥 ;

张敏 ;

麻长胜 ;

王晓宝 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN212517187U ,2021-02-09

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