高功率半导体模块

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410329748.6
申请日
2014-07-11
公开(公告)号
CN104282647B
公开(公告)日
2015-01-14
发明(设计)人
T.维克斯特雷姆 T.塞茨
申请人
申请人地址
瑞士巴登
IPC主分类号
H01L2348
IPC分类号
H01L2507
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
叶晓勇;汤春龙
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
高绝缘耐压功率半导体模块 [P]. 
李新安 ;
刘婧 ;
邢雁 ;
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孙娅男 ;
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[2]
高功率半导体模块及其应用 [P]. 
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[3]
高绝缘耐压功率半导体模块 [P]. 
李新安 ;
刘婧 ;
邢雁 ;
王维 ;
孙娅男 ;
杨成标 ;
周霖 ;
孙伟 .
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[4]
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[5]
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[8]
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[9]
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