功率半导体模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810166470.X

申请日：

2008-10-09

公开(公告)号：

CN101459164A

公开(公告)日：

2009-06-17

发明(设计)人：

G·弗伯 B·斯佩克特

申请人：

申请人地址：

德国新比贝格

IPC主分类号：

H01L2500

IPC分类号：

H01L2304 H01L2348 H01L2150 H01L2152

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘杰;李家麟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-17	公开	公开
2011-04-20	授权	授权
2009-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-09-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 25/00 申请日:20081009 授权公告日:20110420 终止日期:20191009

共 50 条

[1]

功率半导体模块 [P].

T·朗 ;

B·布赫 ;

T·弗雷 .

中国专利 :CN1264175A ,2000-08-23

[2]

功率半导体模块及功率半导体模块组 [P].

朱楠 ;

徐贺 ;

史经奎 ;

邓永辉 ;

梅营 .

中国专利 :CN217544596U ,2022-10-04

[3]

功率半导体模块 [P].

川口安人 .

中国专利 :CN102214622A ,2011-10-12

[4]

功率半导体模块 [P].

B·比伦加 ;

F·滋维克 ;

S·林德 ;

P·厄恩 .

中国专利 :CN100392856C ,2003-06-11

[5]

功率半导体模块 [P].

D.特吕塞尔 ;

S.哈特曼 ;

F.菲舍尔 ;

H.拜尔 .

中国专利 :CN110915313A ,2020-03-24

[6]

功率半导体模块 [P].

增田彻 ;

早川诚一 ;

高柳雄治 .

日本专利 :CN114144880B ,2025-10-03

[7]

功率半导体模块 [P].

增田彻 ;

早川诚一 ;

高柳雄治 .

中国专利 :CN114144880A ,2022-03-04

[8]

功率半导体模块 [P].

井川修 ;

望月英司 ;

早乙女全纪 ;

有川典男 .

中国专利 :CN101609826B ,2009-12-23

[9]

功率半导体模块 [P].

朴益圣 .

中国专利 :CN111602239A ,2020-08-28

[10]

功率半导体模块 [P].

斯特凡·约纳斯 ;

马库斯·迈尔 ;

贝特朗·维亚拉 .

中国专利 :CN101241885B ,2008-08-13

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