功率半导体模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980008305.8

申请日：

2019-01-11

公开(公告)号：

CN111602239A

公开(公告)日：

2020-08-28

发明(设计)人：

朴益圣

申请人：

申请人地址：

韩国忠清南道天安市

IPC主分类号：

H01L2336

IPC分类号：

H01L2340 H01L2156 H01L29739

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

江海;李雪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-28	公开	公开
2020-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/36 申请日:20190111

共 50 条

[1]

功率半导体模块及功率半导体模块组 [P].

朱楠 ;

徐贺 ;

史经奎 ;

邓永辉 ;

梅营 .

中国专利 :CN217544596U ,2022-10-04

[2]

功率半导体模块 [P].

川口安人 .

中国专利 :CN102214622A ,2011-10-12

[3]

功率半导体模块 [P].

G·弗伯 ;

B·斯佩克特 .

中国专利 :CN101459164A ,2009-06-17

[4]

功率半导体模块 [P].

B·比伦加 ;

F·滋维克 ;

S·林德 ;

P·厄恩 .

中国专利 :CN100392856C ,2003-06-11

[5]

功率半导体模块 [P].

D.特吕塞尔 ;

S.哈特曼 ;

F.菲舍尔 ;

H.拜尔 .

中国专利 :CN110915313A ,2020-03-24

[6]

功率半导体模块 [P].

增田彻 ;

早川诚一 ;

高柳雄治 .

日本专利 :CN114144880B ,2025-10-03

[7]

功率半导体模块 [P].

增田彻 ;

早川诚一 ;

高柳雄治 .

中国专利 :CN114144880A ,2022-03-04

[8]

功率半导体模块 [P].

井川修 ;

望月英司 ;

早乙女全纪 ;

有川典男 .

中国专利 :CN101609826B ,2009-12-23

[9]

功率半导体模块 [P].

金洸洙 ;

蔡埈锡 ;

洪昌燮 ;

郭煐熏 ;

李荣基 .

中国专利 :CN104810333A ,2015-07-29

[10]

功率半导体模块 [P].

川口安人 .

中国专利 :CN105830204A ,2016-08-03

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