功率半导体模块

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201380081727.0
申请日
2013-12-17
公开(公告)号
CN105830204A
公开(公告)日
2016-08-03
发明(设计)人
川口安人
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L2160
IPC分类号
H01L2348
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
何立波;张天舒
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
功率半导体模块 [P]. 
增田彻 ;
早川诚一 ;
高柳雄治 .
日本专利 :CN114144880B ,2025-10-03
[2]
功率半导体模块 [P]. 
增田彻 ;
早川诚一 ;
高柳雄治 .
中国专利 :CN114144880A ,2022-03-04
[3]
功率半导体模块 [P]. 
川村大地 ;
增田彻 ;
楠川顺平 .
中国专利 :CN111033723A ,2020-04-17
[4]
功率半导体模块 [P]. 
川口安人 .
中国专利 :CN102214622A ,2011-10-12
[5]
功率半导体模块 [P]. 
木村义孝 ;
米山玲 ;
后藤亮 ;
山下秋彦 .
中国专利 :CN106057743A ,2016-10-26
[6]
功率半导体模块结构 [P]. 
蒋华平 ;
冉立 .
中国专利 :CN110379787A ,2019-10-25
[7]
功率半导体模块及功率半导体模块组 [P]. 
朱楠 ;
徐贺 ;
史经奎 ;
邓永辉 ;
梅营 .
中国专利 :CN217544596U ,2022-10-04
[8]
功率半导体模块 [P]. 
金晓行 .
中国专利 :CN103779343A ,2014-05-07
[9]
功率半导体模块 [P]. 
椋木康滋 ;
玉田美子 .
中国专利 :CN107851637B ,2018-03-27
[10]
功率半导体模块 [P]. 
D.特吕塞尔 ;
S.哈特曼 ;
F.菲舍尔 ;
H.拜尔 .
中国专利 :CN110915313A ,2020-03-24