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功率半导体模块
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201110073649.2
申请日
:
2011-03-25
公开(公告)号
:
CN102214622A
公开(公告)日
:
2011-10-12
发明(设计)人
:
川口安人
申请人
:
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
H01L2348
IPC分类号
:
H01L2336
H01L2507
H01L2300
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
闫小龙;王忠忠
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2011-11-30
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101143712947 IPC(主分类):H01L 23/48 专利申请号:2011100736492 申请日:20110325
2011-10-12
公开
公开
2013-09-18
授权
授权
共 50 条
[1]
功率半导体模块
[P].
川口安人
论文数:
0
引用数:
0
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0
川口安人
.
中国专利
:CN105830204A
,2016-08-03
[2]
功率半导体模块
[P].
川口安人
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川口安人
;
林田幸昌
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林田幸昌
.
中国专利
:CN101154653B
,2008-04-02
[3]
功率半导体模块
[P].
井川修
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井川修
;
望月英司
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望月英司
;
早乙女全纪
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早乙女全纪
;
有川典男
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有川典男
.
中国专利
:CN101609826B
,2009-12-23
[4]
功率半导体模块
[P].
西村直树
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机构:
株式会社三社电机制作所
株式会社三社电机制作所
西村直树
;
深井真志
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机构:
株式会社三社电机制作所
株式会社三社电机制作所
深井真志
.
日本专利
:CN115702495B
,2025-05-30
[5]
功率半导体模块
[P].
西村直树
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西村直树
;
深井真志
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深井真志
.
中国专利
:CN115702495A
,2023-02-14
[6]
功率半导体模块
[P].
川村大地
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川村大地
;
增田彻
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增田彻
;
楠川顺平
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楠川顺平
.
中国专利
:CN111033723A
,2020-04-17
[7]
功率半导体模块及功率半导体模块组
[P].
朱楠
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朱楠
;
徐贺
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徐贺
;
史经奎
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史经奎
;
邓永辉
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邓永辉
;
梅营
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梅营
.
中国专利
:CN217544596U
,2022-10-04
[8]
功率半导体模块
[P].
G·弗伯
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G·弗伯
;
B·斯佩克特
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B·斯佩克特
.
中国专利
:CN101459164A
,2009-06-17
[9]
功率半导体模块
[P].
B·比伦加
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B·比伦加
;
F·滋维克
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F·滋维克
;
S·林德
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S·林德
;
P·厄恩
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P·厄恩
.
中国专利
:CN100392856C
,2003-06-11
[10]
功率半导体模块
[P].
D.特吕塞尔
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D.特吕塞尔
;
S.哈特曼
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S.哈特曼
;
F.菲舍尔
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F.菲舍尔
;
H.拜尔
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H.拜尔
.
中国专利
:CN110915313A
,2020-03-24
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