功率半导体模块

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110073649.2
申请日
2011-03-25
公开(公告)号
CN102214622A
公开(公告)日
2011-10-12
发明(设计)人
川口安人
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2348
IPC分类号
H01L2336 H01L2507 H01L2300
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
闫小龙;王忠忠
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
功率半导体模块 [P]. 
川口安人 .
中国专利 :CN105830204A ,2016-08-03
[2]
功率半导体模块 [P]. 
川口安人 ;
林田幸昌 .
中国专利 :CN101154653B ,2008-04-02
[3]
功率半导体模块 [P]. 
井川修 ;
望月英司 ;
早乙女全纪 ;
有川典男 .
中国专利 :CN101609826B ,2009-12-23
[4]
功率半导体模块 [P]. 
西村直树 ;
深井真志 .
日本专利 :CN115702495B ,2025-05-30
[5]
功率半导体模块 [P]. 
西村直树 ;
深井真志 .
中国专利 :CN115702495A ,2023-02-14
[6]
功率半导体模块 [P]. 
川村大地 ;
增田彻 ;
楠川顺平 .
中国专利 :CN111033723A ,2020-04-17
[7]
功率半导体模块及功率半导体模块组 [P]. 
朱楠 ;
徐贺 ;
史经奎 ;
邓永辉 ;
梅营 .
中国专利 :CN217544596U ,2022-10-04
[8]
功率半导体模块 [P]. 
G·弗伯 ;
B·斯佩克特 .
中国专利 :CN101459164A ,2009-06-17
[9]
功率半导体模块 [P]. 
B·比伦加 ;
F·滋维克 ;
S·林德 ;
P·厄恩 .
中国专利 :CN100392856C ,2003-06-11
[10]
功率半导体模块 [P]. 
D.特吕塞尔 ;
S.哈特曼 ;
F.菲舍尔 ;
H.拜尔 .
中国专利 :CN110915313A ,2020-03-24