功率半导体模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080102229.X

申请日：

2020-09-15

公开(公告)号：

CN115702495B

公开(公告)日：

2025-05-30

发明(设计)人：

西村直树深井真志

申请人：

株式会社三社电机制作所

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L25/07

IPC分类号：

H01L23/12 H01L25/18 H01L23/367

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

闫小龙;吕传奇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-30	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体模块 [P].

西村直树 ;

深井真志 .

中国专利 :CN115702495A ,2023-02-14

[2]

功率半导体模块 [P].

川口安人 .

中国专利 :CN102214622A ,2011-10-12

[3]

功率半导体模块 [P].

井川修 ;

望月英司 ;

早乙女全纪 ;

有川典男 .

中国专利 :CN101609826B ,2009-12-23

[4]

功率半导体模块及功率半导体模块组 [P].

朱楠 ;

徐贺 ;

史经奎 ;

邓永辉 ;

梅营 .

中国专利 :CN217544596U ,2022-10-04

[5]

功率半导体模块 [P].

G·弗伯 ;

B·斯佩克特 .

中国专利 :CN101459164A ,2009-06-17

[6]

功率半导体模块 [P].

B·比伦加 ;

F·滋维克 ;

S·林德 ;

P·厄恩 .

中国专利 :CN100392856C ,2003-06-11

[7]

功率半导体模块 [P].

三木隆义 ;

中山靖 ;

大井健史 ;

多田和弘 ;

井高志织 ;

长谷川滋 ;

小林知宏 ;

中岛幸夫 .

中国专利 :CN103650137B ,2014-03-19

[8]

功率半导体模块 [P].

椋木康滋 ;

玉田美子 .

中国专利 :CN107851637B ,2018-03-27

[9]

功率半导体模块 [P].

D.特吕塞尔 ;

S.哈特曼 ;

F.菲舍尔 ;

H.拜尔 .

中国专利 :CN110915313A ,2020-03-24

[10]

功率半导体模块 [P].

增田彻 ;

早川诚一 ;

高柳雄治 .

日本专利 :CN114144880B ,2025-10-03

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