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功率半导体模块
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200710092194.2
申请日
:
2007-03-30
公开(公告)号
:
CN101154653B
公开(公告)日
:
2008-04-02
发明(设计)人
:
川口安人
林田幸昌
申请人
:
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
H01L2500
IPC分类号
:
H01L23498
H01L2336
H01L2304
H01L2316
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
浦柏明;刘宗杰
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2008-05-28
实质审查的生效
实质审查的生效
2010-05-26
授权
授权
2008-04-02
公开
公开
共 50 条
[1]
功率半导体模块
[P].
川口安人
论文数:
0
引用数:
0
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0
川口安人
.
中国专利
:CN102214622A
,2011-10-12
[2]
功率半导体模块
[P].
川口安人
论文数:
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0
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0
川口安人
.
中国专利
:CN105830204A
,2016-08-03
[3]
功率半导体模块
[P].
黄斌斌
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0
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0
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0
黄斌斌
.
中国专利
:CN214313188U
,2021-09-28
[4]
功率半导体模块
[P].
八木雄二
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八木雄二
;
山田靖
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山田靖
;
中川郁朗
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中川郁朗
;
渥美贵司
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渥美贵司
;
白井干夫
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白井干夫
;
大沼郁雄
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大沼郁雄
;
石田清仁
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石田清仁
;
高久佳和
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高久佳和
.
中国专利
:CN101657899A
,2010-02-24
[5]
功率半导体模块
[P].
西村直树
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机构:
株式会社三社电机制作所
株式会社三社电机制作所
西村直树
;
深井真志
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机构:
株式会社三社电机制作所
株式会社三社电机制作所
深井真志
.
日本专利
:CN115702495B
,2025-05-30
[6]
功率半导体模块
[P].
西村直树
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西村直树
;
深井真志
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深井真志
.
中国专利
:CN115702495A
,2023-02-14
[7]
功率半导体模块和功率半导体模块系统
[P].
G.博格霍夫
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0
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G.博格霍夫
.
中国专利
:CN102790029B
,2012-11-21
[8]
功率半导体模块及功率半导体模块组
[P].
朱楠
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朱楠
;
徐贺
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徐贺
;
史经奎
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史经奎
;
邓永辉
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邓永辉
;
梅营
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0
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梅营
.
中国专利
:CN217544596U
,2022-10-04
[9]
功率半导体模块和具有多个功率半导体模块的功率半导体模块组件
[P].
F.杜加
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0
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F.杜加
;
D.特雷斯塞
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0
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0
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D.特雷斯塞
.
中国专利
:CN103890941A
,2014-06-25
[10]
功率半导体模块
[P].
G·弗伯
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G·弗伯
;
B·斯佩克特
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0
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0
B·斯佩克特
.
中国专利
:CN101459164A
,2009-06-17
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