用于半导体封装的热封层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811529164.8

申请日：

2018-12-14

公开(公告)号：

CN111319869A

公开(公告)日：

2020-06-23

发明(设计)人：

任忠文孙永奎陈其虎李志莉谷勤翠

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

B65D7302

IPC分类号：

C08L5302 C08L2306 C08L5702 C08L2312

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

张钦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B65D 73/02 申请日:20181214
2020-06-23	公开	公开

共 50 条

[1]

包括包封层的半导体封装 [P].

金载敏 .

韩国专利 :CN119965163A ,2025-05-09

[2]

用于半导体封装的密封 [P].

D·波罗格尼亚 ;

朱静文 .

中国专利 :CN107180796A ,2017-09-19

[3]

用于半导体封装的滚压囊封方法 [P].

阿野一章 .

中国专利 :CN101925989B ,2010-12-22

[4]

热释放半导体封装 [P].

金俊一 ;

金成振 .

中国专利 :CN101924082A ,2010-12-22

[5]

具有半导体管芯层的半导体封装 [P].

F·王 ;

徐辉 ;

孙腾 ;

刘刚 ;

T·C·安 .

美国专利 :CN121149096A ,2025-12-16

[6]

半导体封装、制造半导体封装的方法和叠层式半导体封装 [P].

金泰贤 ;

俞度在 ;

朴兴雨 .

中国专利 :CN104425398A ,2015-03-18

[7]

具有增强层的半导体封装件 [P].

金成洙 ;

安秉骏 .

韩国专利 :CN113851429B ,2025-12-30

[8]

具有增强层的半导体封装件 [P].

金成洙 ;

安秉骏 .

中国专利 :CN113851429A ,2021-12-28

[9]

适于叠层半导体封装的半导体封装通过电极及半导体封装 [P].

徐敏硕 .

中国专利 :CN101369566A ,2009-02-18

[10]

适于叠层半导体封装的半导体封装通过电极及半导体封装 [P].

徐敏硕 .

中国专利 :CN102176439A ,2011-09-07

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