具有贯穿晶片的通路的硅晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680015411.1

申请日：

2006-05-04

公开(公告)号：

CN101208771B

公开(公告)日：

2008-06-25

发明(设计)人：

科马克·麦克纳马拉康纳尔·布罗冈休·J·格里芬罗宾·威尔逊

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

梁晓广;陆锦华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-07-06	授权	授权
2008-06-25	公开	公开

共 50 条

[1]

硅晶片和硅晶片的制造方法 [P].

藤濑淳 ;

小野敏昭 .

日本专利 :CN113745093B ,2024-05-10

[2]

硅晶片和硅晶片的制造方法 [P].

藤濑淳 ;

小野敏昭 .

中国专利 :CN113745093A ,2021-12-03

[3]

硅晶片的清洗方法、硅晶片的制造方法、以及硅晶片 [P].

中尾文彰 ;

芦马溪 ;

小田悠 .

日本专利 :CN121219817A ,2025-12-26

[4]

小野敏昭 ;

高奉均 .

中国专利 :CN111164240B ,2020-05-15

[5]

仙田刚士 ;

泉妻宏治 .

中国专利 :CN105814245B ,2016-07-27

[6]

仙田刚士 ;

泉妻宏治 .

中国专利 :CN108461384A ,2018-08-28

[7]

渡边隆 ;

齐藤广幸 ;

仙田刚士 ;

泉妻宏治 ;

鹿岛一日儿 .

中国专利 :CN101074489A ,2007-11-21

[8]

硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片 [P].

森敬一朗 .

中国专利 :CN109690746A ,2019-04-26

[9]

硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法 [P].

矶贝宏道 ;

仙田刚士 ;

丰田英二 ;

村山久美子 ;

泉妻宏治 ;

前田进 ;

鹿岛一日児 ;

荒木浩司 ;

青木竜彦 ;

须藤治生 ;

望月阳一郎 ;

小林昭彦 ;

符森林 .

中国专利 :CN101638807B ,2010-02-03

[10]

硅晶片的制造方法及硅晶片 [P].

杉森胜久 ;

小佐佐和明 .

中国专利 :CN105097444B ,2015-11-25

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