硅晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880046219.1

申请日：

2018-06-06

公开(公告)号：

CN111164240B

公开(公告)日：

2020-05-15

发明(设计)人：

小野敏昭高奉均

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

刘书航;闫小龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20180606
2021-12-28	授权	授权
2020-05-15	公开	公开

共 50 条

[1]

硅晶片和硅晶片的制造方法 [P].

藤濑淳 ;

小野敏昭 .

日本专利 :CN113745093B ,2024-05-10

[2]

硅晶片和硅晶片的制造方法 [P].

藤濑淳 ;

小野敏昭 .

中国专利 :CN113745093A ,2021-12-03

[3]

仙田刚士 ;

泉妻宏治 .

中国专利 :CN105814245B ,2016-07-27

[4]

仙田刚士 ;

泉妻宏治 .

中国专利 :CN108461384A ,2018-08-28

[5]

小野敏昭 ;

梅野繁 .

中国专利 :CN111051580A ,2020-04-21

[6]

渡边隆 ;

齐藤广幸 ;

仙田刚士 ;

泉妻宏治 ;

鹿岛一日儿 .

中国专利 :CN101074489A ,2007-11-21

[7]

前田进 ;

番场博则 ;

须藤治生 ;

冈村秀幸 ;

荒木浩司 ;

末冈浩治 ;

中村浩三 .

中国专利 :CN109075076A ,2018-12-21

[8]

具有贯穿晶片的通路的硅晶片 [P].

科马克·麦克纳马拉 ;

康纳尔·布罗冈 ;

休·J·格里芬 ;

罗宾·威尔逊 .

中国专利 :CN101208771B ,2008-06-25

[9]

硅晶片的清洗方法、硅晶片的制造方法、以及硅晶片 [P].

中尾文彰 ;

芦马溪 ;

小田悠 .

日本专利 :CN121219817A ,2025-12-26

[10]

硅晶片的制造方法及硅晶片 [P].

杉森胜久 ;

小佐佐和明 .

中国专利 :CN105097444B ,2015-11-25

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