一种超长寿命大容量SIM卡芯片架构及其实现方法

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专利类型
发明
申请号
CN201911211515.5
申请日
2019-12-02
公开(公告)号
CN112990408A
公开(公告)日
2021-06-18
发明(设计)人
陈凝 解辰 胡博
申请人
申请人地址
100083 北京市海淀区五道口王庄路1号清华同方科技大厦D座西楼15层
IPC主分类号
G06K19077
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
一种超长寿命大容量SIM卡芯片架构 [P]. 
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[2]
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[4]
一种适用于大容量SIM卡芯片的新型电源架构 [P]. 
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
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王凌 .
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[9]
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