一种导电填料及其半导电屏蔽材料的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010018405.3
申请日
2020-01-08
公开(公告)号
CN111205512A
公开(公告)日
2020-05-29
发明(设计)人
虞家桢
申请人
申请人地址
214161 江苏省无锡市胡埭镇金桂东路2号
IPC主分类号
C08K910
IPC分类号
C08K728 C08L2308 C08L2312 C08L5302 C08K1306 C08K714 C08K304
代理机构
无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228
代理人
聂启新
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
胡佳娜 ;
陈赟 ;
杨威 ;
陈维江 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
杨入云 ;
王嘉尧 ;
李圣驿 .
中国专利 :CN119060450A ,2024-12-03
[2]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
胡佳娜 ;
陈赟 ;
杨威 ;
陈维江 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
杨入云 ;
王嘉尧 ;
李圣驿 .
中国专利 :CN119060450B ,2025-04-04
[3]
半导电屏蔽材料及其制备方法 [P]. 
黄嘉盛 ;
来立永 ;
韩卓展 ;
李濛 ;
凌颖 ;
张飞 .
中国专利 :CN118006071A ,2024-05-10
[4]
一种电缆半导电屏蔽材料及其制备方法 [P]. 
孟广泽 ;
张沛红 ;
寇昭强 ;
王庆丰 ;
张瑞敏 ;
刘忠奇 .
中国专利 :CN107474376A ,2017-12-15
[5]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
杨威 ;
陈维江 ;
杨入云 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
陈赟 ;
李圣驿 ;
胡佳娜 .
中国专利 :CN119081279B ,2025-04-01
[6]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
杨威 ;
陈维江 ;
杨入云 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
陈赟 ;
李圣驿 ;
胡佳娜 .
中国专利 :CN119081279A ,2024-12-06
[7]
半导电屏蔽材料及其制备方法、电缆 [P]. 
黎灼佳 ;
黄罡 ;
李欢 ;
何文 ;
侯帅 ;
傅明利 ;
展云鹏 ;
洪浚轩 ;
杨巧源 ;
陈小琼 ;
刘志阳 ;
惠宝军 ;
冯宾 ;
柳杰 ;
陈云 .
中国专利 :CN120737486A ,2025-10-03
[8]
电缆半导电屏蔽材料及其制备方法 [P]. 
尹毅 ;
王俏华 ;
王雅群 ;
蔡川 ;
吴建东 .
中国专利 :CN101585943A ,2009-11-25
[9]
一种高压半导电屏蔽材料及其制备方法 [P]. 
贾利川 ;
林杰 ;
王智星 ;
林泳帆 ;
刘远泽 ;
聂闰盼 ;
鄢定祥 ;
李忠明 .
中国专利 :CN117903518A ,2024-04-19
[10]
一种电缆半导电屏蔽材料及制备方法 [P]. 
吕常海 ;
王建明 ;
盛大泽 ;
刘军岗 ;
韩小杰 ;
李伟 ;
董君慧 ;
夏伟伟 ;
张卫东 ;
刘春明 .
中国专利 :CN106279929B ,2017-01-04