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半导电屏蔽材料及其制备方法和应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411580559.6
申请日：
2024-11-07
公开(公告)号：
CN119081279B
公开(公告)日：
2025-04-01
发明(设计)人：
杨威 陈维江 杨入云 乔健 涂必冬 陈赟 李圣驿 胡佳娜
申请人：
北京怀柔实验室
申请人地址：
101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号
IPC主分类号：
C08L23/0869
IPC分类号：
C08L91/06 C08K3/04 C08K5/20 C08K5/14
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
周孝湖
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-14 专利申请权、专利权的转移 专利申请权的转移IPC(主分类):C08L 23/08登记生效日:20250227变更事项:申请人变更前权利人:北京怀柔实验室变更后权利人:北京怀柔实验室变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号变更后权利人:101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号变更事项:申请人变更前权利人:北京智慧能源研究院变更事项:国家或地区变更前权利人:中国
2024-12-06 公开 公开
2025-04-01 授权 授权
2024-12-24 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C08L 23/08申请日:20241107
共 50 条
[1]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
杨威 ;
陈维江 ;
杨入云 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
陈赟 ;
李圣驿 ;
胡佳娜 .
中国专利 :CN119081279A ,2024-12-06
[2]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
胡佳娜 ;
陈赟 ;
杨威 ;
陈维江 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
杨入云 ;
王嘉尧 ;
李圣驿 .
中国专利 :CN119060450A ,2024-12-03
[3]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
胡佳娜 ;
陈赟 ;
杨威 ;
陈维江 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
杨入云 ;
王嘉尧 ;
李圣驿 .
中国专利 :CN119060450B ,2025-04-04
[4]
半导电屏蔽材料及其制备方法、电缆 [P]. 
黎灼佳 ;
黄罡 ;
李欢 ;
何文 ;
侯帅 ;
傅明利 ;
展云鹏 ;
洪浚轩 ;
杨巧源 ;
陈小琼 ;
刘志阳 ;
惠宝军 ;
冯宾 ;
柳杰 ;
陈云 .
中国专利 :CN120737486A ,2025-10-03
[5]
硅烷交联型半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
洪向明 ;
王海涛 ;
关江伟 ;
于西 ;
舒康王 ;
李秀娟 .
中国专利 :CN110938274B ,2020-03-31
[6]
半导电屏蔽材料及其制备方法 [P]. 
黄嘉盛 ;
来立永 ;
韩卓展 ;
李濛 ;
凌颖 ;
张飞 .
中国专利 :CN118006071A ,2024-05-10
[7]
半导电屏蔽料组合物及应用、半导电屏蔽料及其制备方法与应用 [P]. 
胡佳娜 ;
陈赟 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
杨威 ;
李圣驿 ;
杨入云 ;
赵健 ;
邓杲 ;
张耀东 ;
王嘉尧 .
中国专利 :CN120118419B ,2025-09-16
[8]
半导电屏蔽料组合物及应用、半导电屏蔽料及其制备方法与应用 [P]. 
胡佳娜 ;
陈赟 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
杨威 ;
李圣驿 ;
杨入云 ;
赵健 ;
邓杲 ;
张耀东 ;
王嘉尧 .
中国专利 :CN120118419A ,2025-06-10
[9]
半导电屏蔽料及其制备方法和应用 [P]. 
俞杰 ;
李秀娟 ;
张斌 ;
谢威 ;
赵淑群 .
中国专利 :CN113930005A ,2022-01-14
[10]
聚丙烯半导电屏蔽料及其制备方法和应用 [P]. 
侯帅 ;
展云鹏 ;
傅明利 ;
赵林杰 ;
惠宝军 ;
贾磊 ;
冯宾 ;
朱闻博 ;
陈云 .
中国专利 :CN118440435A ,2024-08-06
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