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半导电屏蔽料组合物及应用、半导电屏蔽料及其制备方法与应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510602163.5
申请日：
2025-05-12
公开(公告)号：
CN120118419B
公开(公告)日：
2025-09-16
发明(设计)人：
胡佳娜 陈赟 乔健 涂必冬 杨威 李圣驿 杨入云 赵健 邓杲 张耀东 王嘉尧
申请人：
北京怀柔实验室
申请人地址：
101499 北京市怀柔区杨雁东一路8号
IPC主分类号：
C08L23/0869
IPC分类号：
C08L23/0853 C08L91/06 C08K9/04 C08K3/04
代理机构：
北京润平知识产权代理有限公司 11283
代理人：
赵泽丽
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-27 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C08L 23/0869申请日:20250512
2025-10-28 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):C08L 23/0869登记生效日:20251013变更事项:专利权人变更前权利人:北京怀柔实验室变更后权利人:北京怀柔实验室科技成果转化有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:101499 北京市怀柔区杨雁东一路8号变更后权利人:101499 北京市怀柔区雁栖经济开发区杨雁东一路8号院6号楼6层01
2025-06-10 公开 公开
2025-09-16 授权 授权
共 50 条
[1]
半导电屏蔽料组合物及应用、半导电屏蔽料及其制备方法与应用 [P]. 
胡佳娜 ;
陈赟 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
杨威 ;
李圣驿 ;
杨入云 ;
赵健 ;
邓杲 ;
张耀东 ;
王嘉尧 .
中国专利 :CN120118419A ,2025-06-10
[2]
半导电屏蔽料组合物及应用、半导电屏蔽料及其制备方法与应用 [P]. 
陈赟 ;
胡佳娜 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
杨威 ;
李圣驿 ;
杨入云 ;
赵健 ;
邓杲 ;
张耀东 ;
王嘉尧 .
中国专利 :CN120098362A ,2025-06-06
[3]
制备半导电屏蔽料的组合物及半导电屏蔽料及其制备方法以及应用 [P]. 
赵健 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
陈赟 ;
杨威 ;
李圣驿 ;
胡佳娜 ;
杨入云 ;
邓杲 ;
张耀东 ;
王嘉尧 .
中国专利 :CN120248478A ,2025-07-04
[4]
制备半导电屏蔽料的组合物及半导电屏蔽料及其制备方法以及应用 [P]. 
赵健 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
陈赟 ;
杨威 ;
李圣驿 ;
胡佳娜 ;
杨入云 ;
邓杲 ;
张耀东 ;
王嘉尧 .
中国专利 :CN120248478B ,2025-09-26
[5]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
胡佳娜 ;
陈赟 ;
杨威 ;
陈维江 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
杨入云 ;
王嘉尧 ;
李圣驿 .
中国专利 :CN119060450A ,2024-12-03
[6]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
胡佳娜 ;
陈赟 ;
杨威 ;
陈维江 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
杨入云 ;
王嘉尧 ;
李圣驿 .
中国专利 :CN119060450B ,2025-04-04
[7]
半导电屏蔽料及其制备方法和应用 [P]. 
俞杰 ;
李秀娟 ;
张斌 ;
谢威 ;
赵淑群 .
中国专利 :CN113930005A ,2022-01-14
[8]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
杨威 ;
陈维江 ;
杨入云 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
陈赟 ;
李圣驿 ;
胡佳娜 .
中国专利 :CN119081279A ,2024-12-06
[9]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
杨威 ;
陈维江 ;
杨入云 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
陈赟 ;
李圣驿 ;
胡佳娜 .
中国专利 :CN119081279B ,2025-04-01
[10]
半导电屏蔽料、其制备方法及其半导电屏蔽制品和电缆 [P]. 
杨威 ;
陈维江 ;
李圣驿 ;
杨入云 ;
乔健 ;
陈赟 ;
王琨 ;
涂必冬 ;
刘超群 ;
董安有 .
中国专利 :CN118146585A ,2024-06-07
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