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半导电屏蔽料组合物及应用、半导电屏蔽料及其制备方法与应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510587284.7
申请日：
2025-05-08
公开(公告)号：
CN120098362A
公开(公告)日：
2025-06-06
发明(设计)人：
陈赟 胡佳娜 乔健 涂必冬 杨威 李圣驿 杨入云 赵健 邓杲 张耀东 王嘉尧
申请人：
北京怀柔实验室
申请人地址：
101499 北京市怀柔区杨雁东一路8号
IPC主分类号：
C08L23/0869
IPC分类号：
C08L33/04 C08K9/02 C08K9/04 C08K3/04
代理机构：
北京润平知识产权代理有限公司 11283
代理人：
赵泽丽
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-06 公开 公开
2025-06-24 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C08L 23/0869申请日:20250508
共 50 条
[1]
半导电屏蔽料组合物及应用、半导电屏蔽料及其制备方法与应用 [P]. 
胡佳娜 ;
陈赟 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
杨威 ;
李圣驿 ;
杨入云 ;
赵健 ;
邓杲 ;
张耀东 ;
王嘉尧 .
中国专利 :CN120118419B ,2025-09-16
[2]
半导电屏蔽料组合物及应用、半导电屏蔽料及其制备方法与应用 [P]. 
胡佳娜 ;
陈赟 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
杨威 ;
李圣驿 ;
杨入云 ;
赵健 ;
邓杲 ;
张耀东 ;
王嘉尧 .
中国专利 :CN120118419A ,2025-06-10
[3]
制备半导电屏蔽料的组合物及半导电屏蔽料及其制备方法以及应用 [P]. 
赵健 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
陈赟 ;
杨威 ;
李圣驿 ;
胡佳娜 ;
杨入云 ;
邓杲 ;
张耀东 ;
王嘉尧 .
中国专利 :CN120248478A ,2025-07-04
[4]
制备半导电屏蔽料的组合物及半导电屏蔽料及其制备方法以及应用 [P]. 
赵健 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
陈赟 ;
杨威 ;
李圣驿 ;
胡佳娜 ;
杨入云 ;
邓杲 ;
张耀东 ;
王嘉尧 .
中国专利 :CN120248478B ,2025-09-26
[5]
半导电屏蔽料及其制备方法和应用 [P]. 
俞杰 ;
李秀娟 ;
张斌 ;
谢威 ;
赵淑群 .
中国专利 :CN113930005A ,2022-01-14
[6]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
胡佳娜 ;
陈赟 ;
杨威 ;
陈维江 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
杨入云 ;
王嘉尧 ;
李圣驿 .
中国专利 :CN119060450A ,2024-12-03
[7]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
胡佳娜 ;
陈赟 ;
杨威 ;
陈维江 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
杨入云 ;
王嘉尧 ;
李圣驿 .
中国专利 :CN119060450B ,2025-04-04
[8]
聚丙烯半导电屏蔽料及其制备方法和应用 [P]. 
侯帅 ;
展云鹏 ;
傅明利 ;
赵林杰 ;
惠宝军 ;
贾磊 ;
冯宾 ;
朱闻博 ;
陈云 .
中国专利 :CN118440435A ,2024-08-06
[9]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
杨威 ;
陈维江 ;
杨入云 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
陈赟 ;
李圣驿 ;
胡佳娜 .
中国专利 :CN119081279A ,2024-12-06
[10]
半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 [P]. 
杨威 ;
陈维江 ;
杨入云 ;
乔健 ;
涂必冬 ;
陈赟 ;
李圣驿 ;
胡佳娜 .
中国专利 :CN119081279B ,2025-04-01
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