具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710111949.9

申请日：

2007-06-14

公开(公告)号：

CN100495699C

公开(公告)日：

2008-03-26

发明(设计)人：

王盟仁杨国宾萧伟民彭胜扬

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄楠梓加工出口区经三路26号

IPC主分类号：

H01L23552

IPC分类号：

H01L23488 H01L2150 H01L2160

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所（普通合伙）

代理人：

翟羽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-03-26	公开	公开
2009-06-03	授权	授权
2008-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

具有电磁屏蔽结构的半导体封装及其制造方法 [P].

J·赫格尔 ;

O·哈泽 ;

T·基斯特 .

中国专利 :CN110783315A ,2020-02-11

[2]

半导体封装电磁屏蔽结构及其制造方法 [P].

周佳仁 .

中国专利 :CN117374053A ,2024-01-09

[3]

具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构 [P].

吴家福 .

中国专利 :CN100555628C ,2008-03-26

[4]

具有顺形电磁屏蔽结构的半导体封装件及其制造方法 [P].

吴明哲 .

中国专利 :CN105321933B ,2016-02-10

[5]

具有电磁屏蔽罩盖的半导体封装结构 [P].

吴家福 .

中国专利 :CN101150123B ,2008-03-26

[6]

具有电磁干扰屏蔽的半导体封装及其制造方法 [P].

新督尚 ;

李泰勇 ;

李琼延 ;

金宋珠 .

中国专利 :CN108305868A ,2018-07-20

[7]

具有电磁干扰屏蔽的半导体封装及其制造方法 [P].

新督尚 ;

李泰勇 ;

李琼延 ;

金宋珠 .

美国专利 :CN117810206A ,2024-04-02

[8]

具有电磁屏蔽的半导体封装结构及其制作方法 [P].

陈昭雄 .

中国专利 :CN101145526A ,2008-03-19

[9]

半导体电磁干扰屏蔽组件、半导体封装结构及其制造方法 [P].

周鄂东 ;

邱柏翰 .

中国专利 :CN115706092A ,2023-02-17

[10]

一种具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构 [P].

李锦光 ;

何婉婷 ;

赵春伴 .

中国专利 :CN119764299A ,2025-04-04

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