在存储器件中制造三沟道晶体管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510118749.7

申请日：

2005-10-31

公开(公告)号：

CN1858900A

公开(公告)日：

2006-11-08

发明(设计)人：

张世亿金龙洙吴在根

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L218239

IPC分类号：

H01L21822 H01L21336 H01L21331 H01L2128

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-03	授权	授权
2007-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-11-08	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件 [P].

金真怜 ;

宋基焕 .

中国专利 :CN101150132B ,2008-03-26

[2]

具有垂直沟道晶体管的半导体存储器件及其制造方法 [P].

金大益 ;

洪亨善 ;

黄有商 ;

郑铉雨 .

中国专利 :CN102446919B ,2012-05-09

[3]

包括竖直沟道晶体管的半导体存储器件以及制造该半导体存储器件的方法 [P].

赵炯纪 ;

崔珉姃 .

韩国专利 :CN120897441A ,2025-11-04

[4]

使用垂直沟道晶体管的半导体存储器件 [P].

高浦则克 ;

松冈秀行 ;

竹村理一郎 ;

奥山幸祐 ;

茂庭昌弘 ;

西田彰男 ;

舟山幸太 ;

关口知纪 .

中国专利 :CN1434515A ,2003-08-06

[5]

具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法 [P].

金镇湖 .

中国专利 :CN114446965A ,2022-05-06

[6]

具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法 [P].

金镇湖 .

中国专利 :CN114446965B ,2025-08-12

[7]

一种存储器件、存储器件的制造方法及晶体管 [P].

曹开玮 .

中国专利 :CN120529587A ,2025-08-22

[8]

一种存储器件、存储器件的制造方法及晶体管 [P].

曹开玮 .

中国专利 :CN120529586A ,2025-08-22

[9]

在半导体器件中制造垂直沟道晶体管的方法 [P].

赵俊熙 ;

朴相勋 .

中国专利 :CN101465294B ,2009-06-24

[10]

晶体管和包括晶体管的半导体存储器件 [P].

李世薰 ;

林濬熙 ;

吴浚硕 ;

张盛弼 .

韩国专利 :CN119604023A ,2025-03-11

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