具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210113278.4

申请日：

2022-01-30

公开(公告)号：

CN114446965A

公开(公告)日：

2022-05-06

发明(设计)人：

金镇湖

申请人：

申请人地址：

201799 上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

熊风

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20220130
2022-05-06	公开	公开

共 50 条

[1]

具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法 [P].

金镇湖 .

中国专利 :CN114446965B ,2025-08-12

[2]

具有垂直沟道晶体管的半导体存储器件及其制造方法 [P].

金大益 ;

洪亨善 ;

黄有商 ;

郑铉雨 .

中国专利 :CN102446919B ,2012-05-09

[3]

垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件 [P].

金真怜 ;

宋基焕 .

中国专利 :CN101150132B ,2008-03-26

[4]

具有垂直晶体管的存储器装置及其制造方法 [P].

孙超 ;

江宁 ;

刘威 .

中国专利 :CN117397040A ,2024-01-12

[5]

具有垂直沟道晶体管的半导体装置及其制造方法 [P].

金玟锡 ;

尹孝燮 .

中国专利 :CN104517854B ,2015-04-15

[6]

在存储器件中制造三沟道晶体管的方法 [P].

张世亿 ;

金龙洙 ;

吴在根 .

中国专利 :CN1858900A ,2006-11-08

[7]

垂直沟道晶体管阵列及其制造方法 [P].

永井享浩 .

中国专利 :CN102610612B ,2012-07-25

[8]

垂直沟道晶体管阵列及其制造方法 [P].

小林平治 ;

永井享浩 .

中国专利 :CN102339831A ,2012-02-01

[9]

具有垂直沟道的隧穿晶体管、可变电阻存储器及制造方法 [P].

朴南均 .

中国专利 :CN104882480A ,2015-09-02

[10]

使用垂直沟道晶体管的半导体存储器件 [P].

高浦则克 ;

松冈秀行 ;

竹村理一郎 ;

奥山幸祐 ;

茂庭昌弘 ;

西田彰男 ;

舟山幸太 ;

关口知纪 .

中国专利 :CN1434515A ,2003-08-06

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