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具有垂直沟道的隧穿晶体管、可变电阻存储器及制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201410610790.5
申请日：
2014-11-03
公开(公告)号：
CN104882480A
公开(公告)日：
2015-09-02
发明(设计)人：
朴南均
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29423
H01L4500
H01L21336
代理机构：
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363
代理人：
俞波;许伟群
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2015-09-02 | 公开 | 公开 |
| 2017-10-17 | 发明专利申请公布后的视为撤回 | 发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20150902 |